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公版設計壓低非必要成本
如先前所提到,低價位機種未必和cost down、品質堪虞畫上等號,一款設計得宜或說品質無慮的低價產品,是省略不必要的附加功能、控制各端成本而來。當然了,成本控制有相當多面向可以談論,在短篇文章內是無法一一道盡,也只能求先建立個基本概念。總而言之,不同價位產品本質上自當有別,這正是市場區隔的奧義。
實際剖解S80來進一步評估,所採用控制器型號為PS3108-S8-I,這是Phison當家的8通道控制器產品。儘管原廠標格標示支援DEVSLP節能模式,透過CrystalDiskInfo查看確認,S80與Apacer的ProII Series-AS501S一樣,韌體層都並未開啟這項功能。目前甚少人注意這點應用,某程度上而言是可有可無,對低價位產品更是無法奢求太多。
S80所選用控制器,理論成本是比Marvell、SandForce這些舶來品低,甚至可能有段不小的價差。至於控制成本的第二步,筆者與ProII Series-AS501S對照發現,兩者線路布局與電路板編號一致,這顯然是Phison公版設計。買晶片送電路圖是科技業界常態,製造商無須花費時間自行設計驗證,除了得以縮短產品開發時程,亦可以節省些研發設計成本。
▲S80除了採用台系廠商Phison設計方案,亦沿用原廠所提供公版線路布局,用以搭配的快閃記憶體並非來自晶圓原廠,官方指出是第三方廠商購自Toshiba,自行測試封裝的產品。Silicon Power藉由壓低各端製造成本的模式,構成這款價格導向產品。
OP設定高於孿生競爭品
許多人關注的快閃記憶體方面,Silicon Power配置出人意表,並未選用原廠顆粒產品,以致無法確認實際規格。據Silicon Power表示,該顆粒裸晶圓是來自Toshiba,屬於19nm製程產物,由第三方廠商購買後測試切割封裝而來。S80採用這顆粒為TSOP腳位封裝,反觀ProII Series-AS501S是採用BGA腳位顆粒,但電路板正反兩面同樣焊滿16顆。
Phison設計方案亦有記憶體配置需求,就我們所取得240GB版本來看,兩者配置容量與顆粒來源皆相同,為Nanya製DDR3L-1600顆粒256MB。雖然S80和ProII Series-AS501S是孿生產品,不過Silicon Power所選用韌體的OP(Over Provisioning,預留空間)容量設定較高,因此產品標示容量和SandForce產品相仿,同為120、240、480GB等等。
▲控制器規格標示可支援DEVSLP節能模式,但是從韌體資訊來判斷S80並未啟用之。
快閃記憶體規格配置合宜
基於設計方案與ProII Series-AS501S相同這因素,即便雙方市場價位不一,拿來抓對廝殺比較效能仍然合宜。就概觀效能面而言,不難發現Phison控制器表現堪稱良好,具有和舶來品相抗衡的實力。而這兩款產品相較下,S80特別是在寫入速度部分,又較ProII Series-AS501S來得理想。
其中關鍵在於快閃記憶體配置,儘管兩者都動用16顆顆粒,但ProII Series-AS501S是採用Micron最新16nm製品,規格特徵是單一裸晶圓容量高達128Gb(16GB)。這配置組合很容易算出來,該顆粒為單一裸晶圓封裝產品,因此控制器總和控制晶圓數量為16個。反觀S80雖然顆粒規格不詳,但是就Toshiba被普遍採用的產品規格而言,可合理推測為2CE堆疊封裝規格,控制器所控制晶圓數量是較多的32個。
如我們先前多次提及的概念,控制器所控制晶圓數量,對寫入速度有著莫大影響,這推論可在概觀效能測試數據部分得到驗證。S80最高隨機寫入速度在468MB/s左右,循序模式下少則472MB/s,最高值則是達到530MB/s之譜。反觀ProII Series-AS501S,平均落在300MB/s上下,足足較S80慢了50%以上之多。
存取性能表現 |
S80 |
ProII Series-AS501S |
|||
讀取 |
寫入 |
讀取 |
寫入 |
||
ATTO Disk Benchmark Neither (單位KB/s) |
4KB |
154946 |
102182 |
155333 |
101924 |
512KB |
541685 |
502923 |
540474 |
500578 |
|
8192KB |
550323 |
530242 |
549072 |
531555 |
|
CrystalDiskMark 1Fill (單位MB/s) |
Seq |
543.8 |
472.6 |
542.3 |
296.4 |
512KB |
335.6 |
460.2 |
330.9 |
296.2 |
|
4K |
28.15 |
105.5 |
23.68 |
109.1 |
|
4K QD32 |
148.6 |
234.7 |
134.8 |
213.5 |
|
ATTO Disk Benchmark I/O Comparison Random (單位KB/s) |
4KB |
151625 |
101670 |
150601 |
103972 |
512KB |
497102 |
466265 |
507679 |
300936 |
|
8192KB |
501748 |
469762 |
512525 |
306433 |
|
CrystalDiskMark隨機亂數 (單位MB/s) |
Seq |
543.7 |
468.5 |
541.6 |
306.7 |
512KB |
335.4 |
465.6 |
331.1 |
304.2 |
|
4K |
28.13 |
105.4 |
23.69 |
109.2 |
|
4K QD32 |
148.6 |
238.3 |
134.2 |
212.0 |
|
AS SSD Benchmark (單位IOPS) |
16MB |
32.43 |
23.22 |
32.37 |
17.61 |
4K |
8692 |
24166 |
7499 |
24807 |
|
4K-64Thrd |
40849 |
55689 |
37323 |
43936 |
|
512B |
18624 |
25047 |
17961 |
25108 |
|
分數 |
245 |
349 |
227 |
297 |
|
總分 |
727 |
640 |
|||
PCMark 7 Secondary storage score |
5168 |
5099 |
|||
PCMark 7 Raw Secondary storage score |
5041 |
4697 |
|||
PCMark 8 Storage score |
4917 |
4898 |
|||
PCMark 8 Storage bandwidth |
201.16MB/s |
186.78MB/s |
總和表現更勝於孿生產品
就概觀效能面而言,S80是具有完全壓制ProII Series-AS501S的實力,AS SSD Benchmark所測得效能以IOPS來呈現,亦可看出寫入部分高出一截的傾向。因此在總評分方面,讀取與寫入分別為245和349分,總得分727分較ProII Series-AS501S高出約莫11%幅度。包括PCMark 8 Storage bandwidth部分,S80測得成績為201.16MB/s,亦比186.78MB/s的對手高出7%左右。
最後看到DriveMaster測試部分,雙方雖然本是同根生,但基於顆粒與韌體設定等差異因素,效能傾向不盡相同。0~50%固然是ProII Series-AS501S占上風,但是從完整填滿1次容量開始,S80逐漸扭轉劣勢超前。雙方皆在125%區段開始進入效能平原,填滿2次容量之前,S80都以30%或以上幅度領先。至於決勝終點時,S80繳出1577IOPS,以高達51%的幅度勝出。
▲在4K隨機寫入耐久度測試之中,S80效能變化走勢和孿生產品相近,但是基於顆粒與韌體設定差異因素,最終表現是超越競爭產品相當幅度。
當前價位略高不利於競爭
綜觀各面向效能表現來說,S80是較ProII Series-AS501S來得出色些許,不失為更理想的低價位產品選擇。然而撰稿期間檢索通路價格資訊,S80其240GB版本參考價格可能高達3900元,坦白說更好的選擇相當多。不過新品甫上市價格偏高是通俗現象,未來隨著大量到貨甚至是下殺競爭,隨時都會扭轉產品性價比指數,這點得在稍後才能獲得證明。(廖必勝)
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應該是漏字了