筆電跟進支援 DDR4 記憶體，Kingston HyperX Impact DDR4 SO-DIMM 實測

Intel 於 9 月初正式發布第二批 Skylake 大軍，包含更多桌上型與行動平台處理器和晶片組產品，這意味筆電轉進採用 DDR4 記憶體的時間點也到來。Kingston 迅速跟進推出 HyperX Impact DDR4 SO-DIMM 系列產品，針對 Skylake 平台最佳化設定，最高時脈選擇 DDR4-2666 @ 1.2V，雙通道組容量最多為 16GB。

Skylake 搶登場，筆電也要 DDR4 化

從去年底開始，Intel 陸續推出核心代號 Broadwell，也就是俗稱第五代 Core 處理器暨平台產品，到現在還不足一年時間。然而 Broadwell 推出延期、Skylake 進度超前，Intel 罕見地在短短 1 年內推出 2 個世代 Core 產品，演變成自家兄弟競爭局面，想必也累壞了協力夥伴廠商們。

Broadwell 架構筆電還熱騰騰，Skylake 就被趕鴨子上架，並且帶來更大的衝擊。因為配備代號 Skylake 的第六代 Core 處理器筆電，基於記憶體控制器與晶片組設定之故，也不得不開始採用 DDR4 記憶體。雖然 Intel 並未完全拋棄 DDR3，但是該如何在成本、賣相之間找到平衡點，就成了筆電廠商設定產品時的課題了。

Kingston 首登場 HyperX Impact 性能系列

▲ Kingston HyperX Impact DDR4 SO-DIMM 配件為簡易使用說明、HyperX 標誌貼紙。

Kingston 在近乎第一時間，發表推出 DDR4 SO-DIMM 產品，並且提供實體樣品給予媒體測試評估。我們所收到首款產品是歸納在 HyperX Impact 系列，完整型號為 HX421S13BK2/16，是由 2 支 8GB 容量、DDR4-2133 時脈規格模組，共同組成的雙通道套裝產品。

HyperX Impact SO-DIMM 是繼早期的 HyperX 系列之後，所新開闢高時脈、低時序產品線，特點是在 JEDEC 規範電壓內，提供如 DDR3L-1866/2133 等高時脈產品選擇。DDR4 規劃同樣如此，當前已發布 DDR4-2133/2400/2666 等效時脈產品，全為標準的 1.2V 電壓設定。

▲ Kingston HyperX Impact DDR4 SO-DIMM：HX421S13IBK2/16。

受測樣品是採用 SK Hynix 所製造記憶體顆粒，其型號 H5AN4G8NMFR-TFC，原始設計規格為 DDR4-2133/1.2V、512Mb x 8bit，於 DDR4-2133 時脈組態運作的時序可設定在 CL15/16。單顆顆粒容量 4Gb（512MB），模組為電路板採用雙面配置，由 16 顆顆粒構成 8GB 容量。

HyperX Impact SO-DIMM DDR4 系列銷售組合，在前述等效時脈組態下，單一模組有 4 與 8GB 兩種容量，其中 4GB 模組並未提供 DDR4-2133 時脈選擇。此外亦針對 Skylake 記憶體控制器支援規格，提供 2 支模組雙通道套裝組合選擇，可依筆電支援規格、需求，乃至於預算等條件找到合適產品。

▲ 測試樣品採用 SK Hynix 記憶體顆粒，型號為 H5AN4G8NMFR-TFC。

截至目前為止，採用 Skylake 行動平台的筆電，或說基於相同基礎設計之迷你電腦，廠商們仍在加緊開發中。因此只能透過變通方案，實際試用與評估 HyperX Impact SO-DIMM DDR4 ，我們選擇由 ECS 提供的 Q170-SF100，這款商用型迷你電腦來進行。Q170-SF100 雖然是採用 Q170 晶片組，但記憶體插槽配置為 SO-DIMM 規格，得以良好對應。

搭配的處理器是 Core i5-6600T，概略規格為 4 核心 / 4 執行緒、基礎時脈 2.7GHz / TurboBoost 時脈 3.5GHz、記憶體標準支援 DDR4-1866/2133 與 DDR3L-1333/1600、配備 HD Graphics 530 內顯。其 TDP（Thermal Design Power，散熱功耗設計）僅 35W，是誘人卻沒有在台灣零售的產品，我們一併陳列幾項效能數據，讓大家望梅止渴之。

▲ 測試平台為 ECS Q170-SF100 商用迷你電腦。

▲ DDR4 SO-DIMM 腳位為較多的 260pin，舊有 DDR3 SO-DIMM 只有 204pin，兩者外觀與插槽樣式相仿，但是防呆缺口位置不同。

（下一頁還有：效能實測、總結）