Sony 又秀出外星科技：把 DRAM 記憶體夾入 CMOS，以後手機可拍攝 1000fps 超慢動作效果

眾所週知，Sony 在全球 CMOS 感光元件產業中佔有舉足輕重的地位，不僅市佔率居冠，其研發能力亦不容小覷，在不久前 Sony 則進一步發表了可錄製高達 1,000fps 慢動作的感光元件，未來預料為新的智慧型手機創造更多拍攝功能。

不久前 Sony 才發表了一款比米粒還小的微型感光元件，近日則進一步發表拍攝幀率可達 1,000 fps 的超高速 CMOS 感光元件，可見近期 Sony 在感光元件的研發上已不侷限於傳統的畫質、感光度等需求，而是往更多面向在研發新的感光元件科技。

這款新發表的 CMOS 尺寸為手機常用的 1/ 2.3”，換言之，這對現有手機廠商來說很可能不需要重新設計鏡組與電路結構，它提供了 2,120 萬的有效畫素，解析度為 5,520x3,840，單就畫素數已可媲美單眼 CMOS，在動態錄影時更可提供 Full HD 畫質、高達 1,000 fps 的超高幅率，遠遠超出目前市面上所有手機的規格，例如 Google Pixel 最快也僅有 240fps 的慢動作錄影模式。

這是筆者之前利用 Sony RX100 Mark IV 錄製的 960fps 影片，這樣你就可以知道 1,000fps 是什麼樣的世界了：

實際上這並非 Sony 第一次推出錄影幀率達 1,000 fps 的產品，在之前推出的 RX10 Mark III 以及 RX100 Mark IV 就具備了 HFR 錄影模式，可提供高達 960fps 的超高幀率，如果用 24fps 輸出影片的話則相當於 40 倍慢速。不過這是相機使用的 1 吋 CMOS 感光元件，其畫質也非真正的 1080p，若 Sony 能將畫質更佳、幅率更高的感光元件塞入手機的 1/ 2.3” 尺寸，這無疑是一項驚人之舉。

之所以能達到如此高的幀率，秘訣就在 Sony 改進了感光元件的製程，在基於「堆疊式」 CMOS 的雙層結構上做出了改進。而據我們所知，堆疊式感光元件的兩層結構由成像區域（Pixel Section）與處理迴路（Circuit Section）構成，特點是像素區域為背照式（BSI）結構，其特性是具有背照式的優點，並加強處理迴路使之兼容高速錄影的能力。

而 Sony 所做的，就是在這兩層結構之中加入了 DRAM 記憶體，使感光元件擁有自己的暫存區，讓這塊 DRAM 單獨處理所有錄製進來的影像數據，進而達到短時間內處理大量資料的性能。這讓這塊 CMOS 僅需要 1/120 秒的時間即可輸出 19.3 MP 的影像，並且大幅改善高速快門下所產生的果凍效應。

目前 Sony 僅釋出此感光元件的技術與範例影片，仍未知是否會有手機品牌採用，單從影片看來其 Full HD 畫質很明顯比起 RX10 Mark II 與 RX100 Mark IV 要好得多，未來就看這項外星科技會搭載在哪台新手機上了。

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