Plextor PCIe 3.0 NVMe 固態硬碟第二彈，M8Se 性能實測

Computex 2016 展覽期間，Plextor 首度正式發表 PCIe 3.0 NVMe 固態硬碟，是為性能化導向的 M8Pe 系列，提供 3 種版本、128GB～1TB 容量選擇。如果你將價格列為優先考量，那麼即將登場的 M8Se 系列，產品規劃和 M8Pe 相近，將能以更少的花費體驗到 PCIe 3.0 NVMe 性能魅力。

套用相同規劃模式，視覺設計依定位改變

Plextor 甫公開 M8Se 系列固態硬碟，產品線規劃、命名規則、容量選擇都和 M8Pe 系列相仿。產品規劃為 PCIe HHHL AIC 形式 M8SeY、M.2 含散熱片 M8SeG、M.2 無散熱片 M8SeGN 等 3 種型號，容量選擇有 128GB、256GB、512GB、1TB，前 2 款本質上都是以 M8SeGN 當基礎延伸設計而來。台灣上市時間訂在 5 月底、6 月初，但是只有 M8SeY 和 M8SeGN 會先行上市，M8SeG 還得再等等。

▲ Plextor M8SeY 配件提供半高擋板、螺絲、安裝指南。

▲ Plextor M8SeGN 配件組較為簡單，僅只有 M.2 模組固定螺絲。

我們所收到 Plextor 送測樣品，是將會行先開賣的 M8SeY 與 M8SeGN，兩者容量同為 512GB。首先來看 M8SeY，採用 HHHL（Half Height Half Length）AIC（Add In Card）形式規劃，如同 M8PeY 是以 M.2 模組搭配轉接卡，再加上大型散熱片構成。雖然不像 M8SeY 強調電競、遊戲話題，但是以流線化散熱片加上藍色品牌標誌點綴，我們認為視覺美感並未比較遜色。

▲ M8SeY 散熱片塑造出流線的鰭片，並搭配藍色標誌處理。

▲ M8SeY 電路板符合半高卡規範，亦可自行更換配件所提供半高擋板使用。

以電競專業風格作為訴求的 M8SeY，散熱片配備了發光品牌標誌，M8SeY 雖然並未強調目標消費族群，但是也有加入 LED 發光效果。實際卸下散熱片，可以看到轉接卡上緣共計有 17 顆 LED，只是並未兼具時下所流行同步、調整功能，只是會單純的閃爍藍光。M8Se 系列核心設計基礎同為 M.2 Type 2280 單面線路布局，M8SeY 於模組與散熱片之間有貼合導熱膠，藉以確保熱量傳導效果。

▲ M8SeY 於上方裝配一排 LED 燈光，位置理應當比 M8PeY 來得理想。

▲ M8SeY 和 M8PeY 相同，仍然並非原生 PCIe 介面卡設計。

▲ 因應 LED 燈光配置差異，M8SeY 轉接卡經過重新設計，同樣有基礎保護電路。

▲ M8SeY 散熱片具有相當厚度，並以導熱膠增加與  M.2 模組的貼合度。

M8SeGN 並未裝配散熱片，這是基於筆電的 M.2 插槽相容性考量，因為通常只有電競之類大型機種，才可能容納得下有裝配散熱片的產品。其外觀設計、處理等部分，自然沒什麼值得特別著墨的地方，只能順道提 PCIe NVMe 固態硬碟普遍溫度比較高這問題。因此除非是為了筆電相容性因素，否則一般我們會建議優先選擇 M8SeY，特別是 ATX、microATX 這類尺寸的桌機平台，日後才不會為了溫度、散熱問題傷腦筋。

▲ M8SeGN 為 M8Se 系列的共同設計基礎，採 M.2 Type 2280 單面線路布局設計。

維持一貫搭配組合，換用 TLC 快閃記憶體

M8Se 系列主打賣點之一，是採用 Marvell 控制器解決方案，和 M8Pe 系列同為 88SS1093。相較於台灣控制器廠 Phison，這款產品的能見度說不上是滿坑滿谷，少數同門產品如 WD Black PCIe SSD。其特點為 PCIe 3.0 x4 介面，符合 NVMe v1.1b 版規範，本身有 8 個資料傳輸通道，內建自家第三代 NANDEdge LDPC（Low Density Parity Check，低密度奇偶檢查碼）技術功能。

下列上圖為 M8SeY、下圖則是 M8SeGN

▲ M8Se 系列採用 Marvell 型號 88SS1093 固態硬碟控制器。

快閃記憶體維持一貫採用的 Toshiba 製品，M8Se 系列隨波逐流轉進 TLC 類型顆粒懷抱，藉以和採用 MLC 顆粒的 M8Pe 系列區隔定位。2 款樣品都是在 M.2 Type 2280 有限的單面印刷電路板空間，配置 2 顆型號 TH58TFT1WHLBAEG 顆粒，這是 Toshiba 透過 15nm 製程生產。單顆容量高達 256GB，官方表示其裸晶片容量為 128Gbit，因此是使用 16 個堆疊封裝而來。

▲ M8SeY、M8SeGN 受測樣品快閃記憶體，同為 Toshiba 型號 TH58TFT1WHLBAEG，共計 2 顆。

雖然說 M8Se 系列本質結構一致，但是細看我們所取得的樣品，發現動態隨機存取記憶體來源有別。M8SeY 採用品牌為台廠 Nanya，M8SeGN 則為韓廠 Samsung，但僅止於製造商不同而已。M8Se 全系列皆標示採用 LPDDR3-1600 記憶體，128GB 與 256GB 版配置容量同為 512MB，這部分和 M8Pe 系列相同，而 512GB 版 1GB、1TB 版 2GB，相較於 M8Pe 系列是加倍配置。

▲ 樣品快閃記憶體來源不同，M8SeY 為 Nanya 型號 NT6CL256T32BM-H2，M8SeGN 則是 SEC K4E8E32 4EBEGCF。

M8Se 系列官方宣稱性能值如下圖所示，表現最佳者為 512GB 和 1TB 容量版本，循序存取速度可達讀取 2450MB/s、寫入 1000MB/s。單論最佳性能值，M8Pe 系列標示為讀取 2500MB/s、寫入 1400MB/s，雙方寫入部分相差逾 40％。至於隨機存取部分，M8Se 最佳為讀取 210000IOPS、寫入 175000IOPS，落後 M8Pe 系列的幅度分別是讀取 33％、寫入 37％ 左右。

▲ M8Se 系列規格簡表。（全系列配置與重點規格一致，僅以 M8SeGN 作為代表）

產品提供 3 年有限保固服務，設計耐用度參考指標 TBW（Total Bytes Written，總寫入位元組），以受測樣品 512GB 版本標示 320TBW 為推算範例，等於每天可以寫入約 292GB 資料量，相當於 0.57DWPD（Device Write Per Day，裝置每日寫入量）。我們想其勁敵非 Intel SSD 600p 莫屬，M8Se 系列不只性能標示值普遍更高，包含 TBW 部分也是。

▲ CrystalDiskInfo 偵測資訊：其控制器標示符合 NVMe 1.1b 版本，但軟體顯示為 1.2 屬於正常，因為規範部分更動是從韌體層面著手，並未牽動硬體設計。

（下一頁還有：性能實測、總評）