美光彎道超車三星宣布1β DRAM正式量產出貨！不用EUV技術、提供高階手機專用 LPDDR5X

美光科技宣布，開始為特定智慧型手機製造商與晶片組合作夥伴提供 1β（1-beta）DRAM 技術的驗證樣品，全球最先進的 DRAM 製程節點 1β 的量產全面就緒。此新世代製程技術將率先用在美光的 LPDDR5X 行動記憶體上，最高速度來到每秒 8.5 Gb 等級。1β 節點顯著提高效能、位元密度，並改進功耗，這將帶來全面的市場優勢。除行動裝置外，1β 帶來的低延遲、低功耗、高性能 DRAM，更可支援各種高度回應式服務、即時服務、體驗的個人化與脈絡化，從智慧車輛到資料中心均可受惠。

1β 是全球最先進的 DRAM 製程節點，象徵美光自 2021 年 1α (1-alpha) 製程量產以來，市場領導地位再下一城。1β 節點降低功耗約 15%，提升位元密度超過 35% ，每顆晶粒容量可達 16Gb。

隨著 LPDDR5X 開始送樣，行動裝置生態系將率先受惠於 1β DRAM 所帶來的效能顯著提升，這將使得新一代的行動創新與先進的智慧型手機體驗成為可能，同時功耗更低。憑藉 1β 速度與密度，高頻寬使用情境將變得更加靈敏和流暢，不論是下載、啟動，或同時使用需要大量資料的 5G 和人工智慧（AI）應用程式。此外，使用 1β 製程的 LPDDR5X 不僅將強化智慧型手機相機的啟動、夜間模式、人像模式攝影，提高速度和清晰度，還可實現防手震、高解析度的 8K 影片錄製，以及在手機上直覺地編輯影片。

1β 製程技術的單位位元功率更低，為智慧型手機提供了市場上最節能的記憶體技術。智慧型手機製造商因此得以設計出電池續航力更久的裝置 — 有鑑於消費者希望在使用耗能、資料密集型的應用時，電池續航力能夠更持久，這點尤其重要。

功耗降低的另一功臣，則是這款採用 1β 節點的 LPDDR5X 所應用的全新 JEDEC 增強型動態電壓與頻率調整核心技術（enhanced dynamic voltage and frequency scaling extensions core, eDVFSC）。在 DDR 產品類別加入速率可高達每秒 3,200Mb  的 eDVFSC，可強化節能控制，根據獨特的最終用戶使用模式，提高電源使用效率。

先進微影技術與奈米級製造能力

美光業界第一的 1β 節點可將更高的記憶體容量塞入更小的空間內，從而降低每位元資料的成本。DRAM 的進展，向來主要取決於如何在每平方毫米的半導體面積內，提供更多和更快的記憶體，這就需要縮小電路，將數十億個記憶體單元收納在約莫指甲大小的晶片中。幾十年來，隨著每個製程節點的演進，半導體產業每一兩年縮小晶片尺寸縮小一次；然而，隨著晶片變得越來越小，在晶圓上界定的電路圖便需要挑戰物理定律的極限。

儘管業界已開始改用新工具EUV極紫外光設備來克服這些技術挑戰，美光仍利用先進奈米製造能力與微影技術來跳過尚在新興階段的EUV極紫外光技術。這需要應用美光獨門的先進多重曝光技術和沈浸式微影能力，以最高精確度做出這些微小的電路特徵。節點進一步縮小帶來容量提升，可讓智慧型手機和物聯網裝置等體積較小的裝置涵納更多記憶體。

為了讓 1β 和 1α 製程發揮競爭優勢，美光過去幾年也積極推動卓越製造、提升工程技術能力、強化開創性研發。加速創新首先讓美光比競爭對手提前一年實現前所未有的 1α 節點量產，達成公司史上首次在 DRAM 和 NAND 兩個領域同時居於市場領導地位。 多年來，美光投資數十億美元，將晶圓廠轉變為先進、高度自動化、由人工智慧驅動的永續營運設施。其中也包括美光對日本廣島廠的投資，廣島廠將以 1β 製程量產 DRAM。