效能歷代最強！Sony Xperia 1 V 跑分實測，S8 Gen 2 處理器發威

Sony 今日推出了旗艦機 Xperia 1 V，換上了新的高通 Snapdragon 8 Gen 2 處理器，並加強了散熱表現，這次我們借到 12GB RAM + 256GB 版本，這篇先就外型設計和跑分實測來分享，之後再分享實拍心得。

外型不變，觸感改變

說到 Xperia 手機的設計，就算不是索粉可能都說得出來「就是那樣方方正正的外型」，來到 Xperia 1 V 仍然維持一貫的方正簡約設計，不過比起前幾代算是多了一些「明顯」的變化，像是這次邊框採用細鋸齒的設計，類似先前推出的 Xperia Pro-I 的設計，可以增加一些握持時的摩擦力。

▲ 螢幕維持 21:9 4K HDR OLED 螢幕，同樣支援 120Hz 螢幕更新率。 ▲ 機背有著超細的點狀紋路，不只可以避免指紋留在手機上，摸起來的質感也非常好，有點毛玻璃的感覺。

▲ 全機具備 IP65/68 防塵防水配置，正面採用康寧 Gorilla Glass Victus 2 玻璃，背面採用康寧 Gorilla Glass Victus 玻璃。

▲ SIM 卡槽維持免 SIM 卡針可以直接取出的設計，非常方便！而且還支援 1TB micro SD 卡擴充，在旗艦機中算是少見的規格。

▲ 底部為 Type-C 連接埠和 SIM 卡槽。

▲ 頂端有 3.5mm 耳機孔。

▲ 指紋辨識維持側邊指紋辨識。

▲ 也有實體的快門鍵。

Xperia 1 V 效能實測

Xperia 1 V 採用高通 Snapdragon 8 Gen 2 處理器，CPU 效能比前一代快 35%，省電 40%，GPU 效能提升 25%，省電 45%，搭配 12GB RAM，提供 256GB 以及 512GB 兩種容量選擇。

官方表示機身散熱片體積加大 60%，提高散熱表現，就我們以安兔兔實測時的表現來說，溫度上升的幅度還是比其他採用同樣處理器的手機高一點點，例如三星 S23 Ultra 採用特製的 S8G2 處理器，跑分時溫度提高 8 度左右，Xiaomi 13 Pro 也採用 S8G2 處理器，跑分時溫度上升 6.5 度左右，ROG Phone 7 Ultimate 跑分時溫度上升 9 度左右，對比 Xperia 1 V 跑分時測得的 10 度，在台灣上市的旗艦手機中，溫度控制算是相對有進步空間的機種。

不過雖然跑分時溫度會提高，溫度降下來的速度也滿快的，代表散熱確實有發揮其效果。

效能表現上，Xperia 1 V 和去年的機型相比確實進步不少，達到了 118 萬分的成績，Geekbench 和 3DMark 的分數表現也屬於旗艦機型的表現，但就分數本身還是差其他品牌的旗艦機一點點，不過整體操作上並沒有卡頓的情況發生，不論是我們在測試、玩遊戲或是操作時都很流暢。

電池電量為 5,000mAh，受惠於 S8G2 處理器更省電的表現，理論上可以有更長的續航力，不過由於我們借測的時間還不夠測試續航表現，這點等我們之後測試完之後再補上。

充電則是支援 30W 有線充電，以目前旗艦機最快已經有 240W 快充的表現來說，30W 充電速度實在是不快，加上 Sony 有著非常嚴格的電池保護機制，當充電到 80% 之後會進入涓流充電模式來延長電池壽命，因此整個充飽到 100% 會需要比較長的時間，另外也支援 Qi 無線充電，可以搭配 Qi 無線充電盤使用，也可以提供反向充電功能。