三星發表首款LPCAMM記憶體：體積縮小60%，同時克服LPDDR和So-DIMM的缺陷

近日三星電子官方稱其成功研發出首款7.5Gbps低功耗壓縮附加記憶體模組（LPCAMM）形態規格，目前這一突破性研發成果已在Intel平台上完成了系統驗證。

這一成果可能將改變PC和筆電的DRAM（動態隨機存取記憶體）市場，甚至影響到資料中心的DRAM市場格局。

據三星介紹，目前的電腦傳統的 LPDDR DRAM或So-DIMM（小外形雙列直插式記憶體模組），但是這兩種技術都存在一定的侷限性。LPDDR受結構限制需要直接安裝在主機板上，導致維修或者升級更換比較難。So-DIMM雖然安裝拆卸比較方便，但是性能和功耗上卻存在著一定的限制。

而LPCAMM技術則有望同時克服了LPDDR和So-DIMM的缺陷，做為可拆卸的記憶體模組，LPCAMM在大大減少了裝置內部空間佔用的同時，還大幅提高了性能及能效。與So-DIMM相比性能提高50%，能效提高70%，體積縮小 60%。

LPDDR由於其良好的省電特性被應用於伺服器上，然而LPDDR在實際使用中還是有一定的限制，例如在升級伺服器DRAM規格時必須更換整個主機板才行，而使用 LPCAMM 則可以有效避免這些問題。

Intel記憶體和IO技術副總裁表示：「LPCAMM的能效和易修優勢使這種新形態有機會改變當今PC市場的遊戲規則。我們很高興能參與制定新標準，為PC生態系統提供支援，並為未來在更廣泛的細分市場中被採用，以及為技術的創新奠定基礎。」

三星表示將於今年與包括Intel在內的主要客戶一起，將LPCAMM應用於下一代系統進行測試，並計畫將於 2024 年實現其商業化。