中國最大快閃記憶體晶片製造商長江存儲在美提告美光專利侵權，涉 8 項專利

近日，中國最大快閃記憶體晶片製造商長江存儲向美國儲存晶片巨頭美光及其子公司提起專利侵權訴訟，要求法院禁止美光繼續使用長江存儲的多項 3D NAND 技術專利，並賠償損失和訴訟費用。

長江存儲稱，美光的多款固態硬碟產品涉嫌侵犯了長江存儲的 8 項專利，這些專利涉及到 3D NAND 儲存器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。

儲存晶片主要分為 DRAM（動態隨機儲存）和 NAND（快閃記憶體）兩類，前者屬於易失性儲存器，即一旦斷電儲存資料立刻流失，一般被用作記憶體輔助 CPU（中央處理器）進行計算；後者為非易失性儲存器，用於儲存資料，用於製造固態硬碟。

長江存儲在起訴書中指出，美光在未經授權的情況下使用長江存儲專利技術來與進行市場競爭，保護其市佔率，且美光未就使用上述專利支付合理費用，侵犯了長江存儲的利益，遏制了後者的創新動力。其還指控稱，美光在自己的專利檔案中引用了長江存儲相關專利，證明美光瞭解長江存儲的專利組合非常重要，但美光並未採取任何實際行動尋求獲取長江存儲專利授權。

長江存儲還在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達產品永久禁令，則應制定相關方案，如美光向長江存儲支付專利授權費等。

長江存儲成立於 2016 年 7 月，總部位於湖北武漢，主攻設計、製造 3D NAND 快閃記憶體晶片。長江存儲採用了自研的 Xtacking（晶棧）架構，其在技術上已經追上國外巨頭，在 NAND 領域，長江存儲 2021 年就量產了 128 層 3D 堆疊產品，232 層產品亦開始上量。

美光是儲存晶片龍頭公司，與長江存儲在 NAND 市場是競爭對手，據集邦諮詢資料，2023 年二季度的 NAND 市場，美光市佔率為 13%，排名第五。在市場體量上，長江存儲與美光差距較大。

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