傳台積電A16 1.6nm製程不會採用High-NA EUV曝光機

台積電先前已公布的規畫圖與最新進展，A16（1.6nm）製程工藝預計將於2026年下半年量產，將搭載先進的背面供電（Backside Power Delivery）技術，台積電稱其為「超級供電軌」（Super Power Rail），可以提升晶片能效表現。

據業界消息，台積電並沒有為A16製程準備High-NA EUV曝光機，而是準備採用現有EUV曝光機生產。相比之下，Intel、三星都將在這一節點使用最新的High-NA EUV曝光機。

關於背面供電技術，Intel原本計畫在20A（2nm）製程匯入，稱其為「Power Via」，但後來決定延後至14A製程採用。三星同樣開發了類似的背面供電技術BSPDN，根據早些時候消息，三星代工部門首席技術長Jung Ki-tae曾宣佈將於2027年將背面供電技術用於1.4nm製程。

目前Intel已經收到了ASML首台High-NA EUV曝光機，並完成組裝。業界認為，台積電選擇在這時推出A16製程，給Intel與三星帶來了競爭壓力。雖然Intel在High-NA EUV裝置上搶先一步，但能否趕上台積電的商業化進度還有待觀察。

台積電決定在A16製程沿用一般EUV曝光機，也展現了其技術實力，可以在不採用最新裝置的情況下，將現有EUV裝置的解析度推進到1.3nm以下。事實上，去年台積電就成功透過調整光刻膠材料、光掩模製程等方式，在提升先進製程的臨界尺寸與圖形精度的同時，還降低了缺陷密度。

台灣分析師表示，台積電、Intel、三星之間的競爭將進一步刺激對EUV曝光機的需求，尤其是獨家供應商ASML。考慮到High-NA EUV裝置產能有限，如何在三大晶圓代工巨頭之間分配，勢必成為一大挑戰。