三星計畫在2025年推出3D DRAM，堆疊16層大幅提升AI晶片容量

三星希望在 DRAM 標準方面有所突破，目標在2025年推出3D DRAM，以便在全球AI半導體市場相關領域中取得領先。

3D DRAM旨在堆疊更高的單元層以大幅提高容量。隨著 DRAM 行業亟需創新，這家韓國巨頭推出了新概念，以吸引消費者和客戶的興趣。

在韓國首爾舉行的 2024 年國際記憶體研討會（IMW）上，三星電子副總裁Lee Si-woo展示了新的 3D DRAM 技術，稱隨著市場的快速發展，尤其是人工智慧領域，對先進 DRAM 技術的需求比以往任何時候都更加迫切。

在 3D DRAM 架構的基礎上，三星通過 DRAM 內建和性能的大幅提升，成功地大幅縮小了單元面積。

圖片來源：Samsung / Memcon三星/Memcon

新的技術採用了「4F Square」單元結構，但 DRAM 電晶體是垂直安裝的，這就是所謂的 VCT（垂直通道電晶體）技術。通過結合 4F Square 和 VCT 來改變單元結構，三星的目標是堆疊儘可能多的單元層，並以 16 層為目標，該公司很可能見證巨大的記憶體容量和性能提升。

由於人工智慧的炒作和消費者的需求，DRAM 市場出現了潛在的經濟好轉，看到市場上出現這樣的發展令人興奮，因為這不僅會帶來創新，還會增加市場競爭，最終有利於普通消費者。不過，3D DRAM 目前仍是一個概念，三星自己也表示，該標準涉及複雜的製造技術，導致生產價格高昂。