三星HBM晶片因散熱和功耗問題未能通過Nvidia的測試，恐影響AI GPU市場競爭力

三位知情人士透露，三星電子最新一代的高頻寬記憶體（HBM）晶片由於發熱和功耗問題，尚未通過Nvidia的測試，無法用於該美國公司的AI處理器。

這些問題影響了三星的HBM3晶片，這是目前人工智慧圖形處理器（GPU）中最常用的第四代HBM標準，以及三星和競爭對手今年將推向市場的第五代HBM3E晶片。

這是三星未通過Nvidia測試的首次報導。

三星在給路透社的聲明中表示，HBM是一種客製化的記憶體產品，需要「根據客戶需求進行最佳化過程」，並補充說，它正在透過與客戶的密切合作來最佳化其產品。三星拒絕就特定客戶發表評論。

在路透社首次發表這篇報導後，三星在另一份聲明中表示，「因發熱和功耗問題而失敗的說法是不是事實」，並表示測試「正在順利並按計劃進行」。

Nvidia拒絕發表評論。

HBM是一種動態隨機存取記憶體（DRAM）標準，於2013年首次生產，其晶片垂直堆疊以節省空間並降低功耗，有助於處理複雜AI應用程式產生的大量資料。隨著生成式AI熱潮推動對先進GPU的需求激增，對HBM的需求也隨之增加。

Nvidia在全球AI應用GPU市場佔有約80%的占有率，因為滿足Nvidia的需求被視為HBM製造商未來增長的關鍵，無論是在聲譽上還是在利潤動能方面。

三位消息人士稱，三星自去年以來一直試圖通過Nvidia對HBM3和HBM3E的測試。據其中兩位消息人士稱，三星最近的8層和12層HBM3E晶片在4月份的測試又失敗了。

目前尚不清楚這些問題是否容易解決，但這三位消息人士表示，未能滿足Nvidia的要求增加了業界和投資者對三星可能在HBM領域進一步落後於競爭對手SK海力士和美光科技的擔憂。

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