三星成立新的HBM高頻寬記憶體團隊：推進HBM3E和HBM4開發工作

高頻寬記憶體（HBM）晶片與NVIDIA公司設計的AI晶片一樣，都是人工智慧革命的重要組成部分，隨著科技和工業部門開始擴展計算和資料處理設施，將人工智慧工作負載納入其中，人工智慧革命已成為投資者關注的焦點。

在人工智慧競賽初期，即使 NVIDIA 公司的股價屢創新高，半導體分析師們也在懷疑該行業是否有足夠的晶片封裝能力來滿足對該公司為人工智慧工作負載提供動力的 GPU 的旺盛需求。

這些制約因素似乎也改變了儲存晶片行業的發展趨勢，三星急於在高頻寬記憶體的產量方面趕上競爭對手。

三星成立「HBM開發團隊」：戰略升級的關鍵一步

據媒體報導，三星公司近期宣佈成立全新的“HBM開發團隊”，這一戰略舉措標誌著三星在高頻寬記憶體（HBM）技術領域的雄心與決心邁入了一個新階段。該團隊將專注於前沿技術的研發，特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術，旨在顯著提升三星在全球HBM市場的競爭力和市佔率。

回顧過往，三星自2015年起便在DRAM部門內部深耕HBM技術的藍海，不僅設立了專項團隊，還成立了特別工作組，持續推動技術創新與突破。此次組織架構的升級，無疑是對過往努力的深化與加強，彰顯了三星對HBM技術未來發展的堅定信心。

為了加速搶佔高附加值DRAM市場的制高點，三星展現出了驚人的研發速度與執行力。今年年初，三星便宣佈成功研發出HBM3E 12H DRAM，並緊隨其後在四月實現了HBM3E 8H DRAM的量產，這一系列成就不僅體現了三星的技術實力，也為其在HBM領域的領先地位奠定了堅實基礎。

值得注意的是，三星與NVIDIA等行業巨頭的合作也在不斷深入。自去年起，三星便積極向NVIDIA提供HBM3E樣品進行嚴苛驗證，涵蓋8層與12層堆疊技術，雖歷經挑戰但進展顯著，預計將在今年第三季度末迎來部分驗證工作的圓滿完成，這一合作無疑將加速HBM技術在高階計算領域的普及與應用。

此外，三星還透過官方管道分享了HBM產品的最新研發進展，並明確透露了HBM4技術的研發時間表，即計畫於2025年首次亮相。這一消息不僅引發了業界的廣泛關注，也進一步激發了市場對未來高性能計算、人工智慧等領域技術革新的期待。

更有傳言指出，三星正考慮在HBM4中引入革命性的非導電性膠膜（Non-Conductive. Film；NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術，以最佳化高溫環境下的熱特性，進一步提升產品的穩定性和可靠性，這將是對現有技術邊界的又一次勇敢探索。