日本半導體反攻，Rapidus擴廠計畫曝光：將安裝十台EUV曝光機

在全球半導體產業競爭日益激烈的背景下，日本政府積極推動半導體產業的復興。為此，日本於2022年成立了一家名為Rapidus的新公司，旨在與台積電等國際半導體巨頭競爭。Rapidus由日本多家大型企業共同出資成立，包括豐田、索尼、NTT、NEC、軟銀、Denso、NAND Flash大廠鎧俠、三菱UFJ等，並獲得日本政府的大力支持。該公司的目標是建立日本國內先進的半導體製造能力，以確保日本在這一關鍵產業的競爭力。

根據日本Nikkan Kogyo Shimbun（日刊工業新聞）最新報導，Rapidus 將在兩個尖端半導體生產基地安裝總共十台「EUV曝光機」。這意味著日本政府推動半導體產業的力道再度加強，目標是讓 Rapidus 趕超台積電等公司。

去年 12 月日本迎來了第一台 ASML NXE:3800E EUV 曝光機，這標誌著該技術在日本的首次部署。其 2 nm 級製程節點將於 2027 年在目前正在建設中的IIM-1工廠投入運行。

《日刊工業新聞》的報導引述了 Rapidus 執行長小池淳義的說法，未來 10 台新機器將分佈在兩個製造工廠：上述的 IIM-1 和 IIM-2。第二個工廠預計將在 IIM-1 建成後不久投入使用。

目前尚不清楚晶圓代工廠是否會安裝更多的 ASML NXE:3800E 曝光機，也沒有透露確切的時間框架。《日經新聞》的一篇較早的文章指出，將於 4 月（2025 年）左右在 Rapidus 的晶圓廠開始試運行，採用 2 奈米一代全閘極（GAA）技術。根據推測的時間表，首批樣品將於今年年中運往美國博通公司（Broadcom）。