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ASML 已經確認,即將出貨最新款的 EUV 曝光機 EXE:5200,相比上一代來說,效能更加強大,當然不會賣給中國廠商。
效能提升,更適合 2nm 製程
根據 ASML 官方說法,EXE:5200 是現有初代 High NA EUV 曝光機 EXE:5000 的改進款。它將擁有更高的晶圓吞吐量,EXE:5000 每小時可處理 185 片以上晶圓,而 EXE:5200 的效能預計將更高。這意味著 EXE:5200 能更有效地支援 2nm 製程的量產。
早在之前,ASML 就已宣布英特爾訂購了業界首個 TWINSCAN EXE:5200 曝光機。這款曝光機具有高數值孔徑,每小時可處理 200 多片晶圓,是極紫外 (EUV) 大批量生產系統的一大進展。英特爾的這項舉動,也顯示出其在引入 0.55 NA EUV 技術上的決心。
0.55 NA EUV 技術的突破
TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 均採用 0.55 數值孔徑。相較於前代 EUV 曝光機的 0.33 數值孔徑透鏡,0.55 NA EUV 在精度上有所提高,能為更小的電晶體功能提供更高解析度的模式。這項技術的突破,將有助於晶片製造商在 2nm 製程上取得更大的進展。
EUV 0.55 NA 的設計目標是從 2025 年開始實現多個未來節點。這將是業界首次部署該技術,隨後也將應用於類似密度的記憶體技術。隨著 EXE:5200 的推出,ASML 將持續推動半導體技術的發展,為更高階的晶片製造提供更強大的支持。
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