三星改良版HBM3E晶片即將問世，積極佈局高頻寬記憶體市場

2025年第一季度尚未結束，三星電子已緊鑼密鼓地籌備下一階段的市場策略。據報導，三星電子計劃於今年第一季度開始供應改良版HBM3E高頻寬記憶體（High-Bandwidth Memory），並預計在第二季度全面提升供應量。

美國出口管制政策下的市場轉變

這一策略調整與美國政府實施的尖端半導體出口管制政策息息相關。該政策促使客戶需求逐漸轉向改良版HBM3E，儘管這在一定程度上可能暫時抑制HBM的整體需求。然而，從第二季度起，市場對12層HBM3E的需求預計將呈現爆炸性增長，增速甚至可能超出先前預期。

為確保充分滿足市場需求，三星電子已制定雄心勃勃的計劃，旨在將今年全年的HBM位元供應量擴大至去年的兩倍。這項擴產計畫展現了三星電子在HBM市場的強烈企圖心，以及對未來市場前景的樂觀預期。

成功打入輝達供應鏈

另有消息人士透露，三星電子已成功獲得向輝達（NVIDIA）供應其8層HBM3E高頻寬記憶體晶片的許可。這無疑是三星電子在HBM技術領域的一大進展。儘管面臨SK海力士（SK Hynix）和美光科技（Micron Technology）等強勁對手的競爭壓力，三星電子仍成功打入輝達供應鏈，顯示其技術實力已獲得市場肯定。

三星電子在HBM領域的積極舉動和規劃，無疑將進一步提升其在半導體晶片市場的競爭力和發展勢頭。然而，挑戰依然存在。三星電子高管指出，儘管2024年第四季度HBM銷售額實現了190%的環比增長，但仍未達到預期水平。進入2025年第一季度，HBM收入預計將出現下滑，且需求的不確定性增加。未來HBM的需求走勢將主要取決於GPU產品的供應狀況以及美國出口管制政策的具體影響。

儘管面臨挑戰，三星電子仍對HBM市場的未來發展持樂觀態度，並預計需求將在2025年第二季度恢復增長。為此，公司已設定目標，即今年HBM的供應量要實現比去年翻一番的壯舉。此外，儘管記憶體和IT市場充滿不確定性，三星電子仍堅定表示，將繼續投資於尖端記憶體技術的研發，以鞏固和擴大其在該領域的領先地位。