AI伺服器HBM4記憶體大戰：輝達領跑，SK海力士、三星、美光競逐HBM市場

隨著輝達（NVIDIA）近日公布了未來三代AI伺服器的發展藍圖，新一代HBM（High Bandwidth Memory）記憶體的規格也成為業界關注的焦點。HBM記憶體在AI伺服器中扮演著至關重要的角色，其容量、頻率和頻寬的提升，直接影響著AI運算的效能。這場由輝達領跑的AI伺服器記憶體大戰，不僅是技術的競賽，更是市場佔有率的爭奪。

輝達AI伺服器與HBM記憶體發展藍圖：性能至上的追求

輝達的AI伺服器發展規劃中，基於GB300晶片的Blackwell Ultra NVL72將於今年下半年發布，繼續採用HBM3E記憶體。而明年下半年的Vera Rubin NVL144將升級為下一代HBM4記憶體。到了2026年下半年的Rubin Ultra NVL576，則會採用加強版的HBM4E記憶體。預計在2028年，採用全新Feynman架構的產品有望首次搭載HBM5記憶體。

輝達對於HBM記憶體的需求不僅僅是容量的增加，更重要的是頻寬和速度的提升。AI模型越來越複雜，需要處理的數據量也越來越龐大，因此，HBM記憶體的性能直接關係到AI伺服器的整體效能。輝達的發展藍圖清晰地展現了其對性能的極致追求，也給HBM記憶體原廠帶來了巨大的挑戰和機遇。

面對輝達對HBM記憶體的強勁需求，SK海力士、三星和美光三大記憶體原廠也紛紛展示了各自的HBM發展規劃，積極爭奪市場份額。

SK海力士：HBM領頭羊的先發優勢

SK海力士作為HBM記憶體的領先者，率先推出了48GB大容量的HBM4，採用單Die 24Gb（3GB）的設計，16顆堆疊而成。其數據傳輸率高達8Gbps，IO位寬為2048-bit，單顆頻寬達到2TB/s。SK海力士憑藉其在HBM領域的技術積累和先發優勢，有望在未來的市場競爭中保持領先地位。

美光：穩紮穩打，性能穩步提升

美光雖然沒有公布過多的細節，但表示其HBM4記憶體的性能將比HBM3E提升50％，預計在2026年開始量產。美光在記憶體領域擁有深厚的技術實力，其穩紮穩打的策略也使其在市場上佔有一席之地。

三星：規格與藍圖並重，全方位布局

三星展示的HBM4記憶體同樣採用單Die 24Gb的設計，提供36GB（12堆疊）和24GB（8堆疊）兩種容量選擇。其數據傳輸率最高可達9.2Gbps，頻寬最高為2.3TB/s。三星的HBM4採用MPGA封裝，尺寸為12.8x11毫米，堆疊高度為775微米，能效為每bit 2.3PJ。

在下一代HBM4E方面，三星計劃將單Die容量提高到32Gb（4GB），支援8/12/16堆疊，單顆容量最大可達64GB，且高度維持不變。同時，數據傳輸率將提高到10Gbps，搭配2048-bit位寬，頻寬可達2.56TB/s。三星不僅在規格上不斷突破，更在藍圖上進行了全方位的布局，展現了其在HBM市場的雄心壯志。

HBM記憶體的應用前景：AI伺服器獨佔鰲頭

HBM記憶體目前主要應用於AI伺服器，未來預計仍將以AI領域為主。由於成本較高，HBM記憶體短期內不太可能下放到消費級顯示卡市場。然而，隨著AI技術的不斷發展和應用場景的不斷擴展，HBM記憶體的需求也將持續增長。

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