華碩 ARES III 國外搶先實測，溫度略高於公板不如預期理想

之前我們提到了華碩 ARES III 終於定案準備上市的消息，不過在正式上市前，日本 4Gamer.net 搶先做了一連串非常詳盡的測試，其中包含各項基準軟體測試，還有與同為水冷架構，不同設計的公板卡進行比對。從數據結果中可以發現到，ARES III 表現並不如預期中理想，甚至在溫度表現上略高於公板卡。

ARES III 限量版採特殊外盒設計

ARES III 採用特製的鋁合金金屬收納盒設計，與公板卡採用類似的樣式，不過面板上則是稍作修改，同時在右下角也放上 ARES 的金屬銘板，整體視覺設計上除了簡約大方之外，內容物緩衝保護也非常嚴密。

打開後可以看到內容物分別位於兩側蓋板上，上蓋板的部份提供轉接線材，還有光碟等內容物。轉接線材部份採用紅黑配色的單線編織網設計，有別於一般將 8 條線都捆在一起的粗糙手法，雖然視覺上比較好看，實質效益仍得視線材的品質而定。

下蓋板的部份就是 ARES III 顯示卡，另外華碩提供了 1 對水冷接頭與水堵，還有六角鈑手與 1 個 ROG 隨身碟。較不完善的部份在於所附送配件，僅提供 10/13mm 水冷接頭，這個規格其實就是我們俗稱的 3 分管，管壁厚度為 3mm 的薄管規格。並沒有提供 4 分管或者是相容度更高的寶塔接頭，而是選擇了外觀較好看，但相容度趨近於零的快擰規格。

另外在水堵的部份也未採用鍍黑鎳特殊色，維持 EKWB 原先的白鎳，雖不影響功能，但從這些小細節中，可以發現 ARES III 並沒有將 ROG 品牌色彩發揮到極致。與一般品不同的地方，在於水冷上蓋採取大規模客製化，從外觀可以看到水冷頭是採用銅底、壓克力上蓋組成，而在壓克力之上還有 1 片 CNC 鋁板，刻蝕 ROG Logo 與 ARES 鏤空字樣。

▲華碩 ARES III 採用鋁製手提箱的設計。

▲在顯示卡中，可以看到有針對 ARES 做客製化設計。

PCB 重新設計，針對水道處理

拆解後的顯示卡，可以發現 2 顆核心都位於水平中線以下，為什麼不放在中線上呢？觀察水冷頭的水道設計可以發現水是由左上方進入，將核心放於中線以下，可以增加水在銅底中的接觸距離、受熱程度，此外各元件的分布位置也較好處理。

在中央的 VRM 迴路可以觀察到刻意採用較扁平的電感，將空間讓給水冷頭水道使用。不過在主要的核心 MOSFET 的部份則是無水道設計，這部份需透過銅底導熱，並未擁有水冷液的直接降溫處理。那是否有可能針對 MOSFET 開闢 2 條水道或者取消中央水道設計？其實這不是不可能，不過以 MOSFET 較窄的面積與為保持冷頭剛性因素，水道將會非常的狹隘，不只造成第 2 顆核心溫度可能上升之外，水阻的部份也會增加。

▲水冷頭大致上與 PCB 等長，僅在影像 I/O 末端的部份未覆蓋。

效能實戰，略強於公板

其實效能即使不經過測試，從規格就可以發現 ARES III 必定強於公板卡，兩者核心時脈本身即具有小幅差異。不過測試中可以發現，實際效能落差幅度並不高，僅提昇了不到 5% 的效能。

▲由 4Gamer.net 所測試的性能對比。

溫度不如預期，反落後公板 1D 水冷排

另外在溫度表現方面，4Gamer.net 所測試出來的結果反而令人跌破眼鏡，除了待機溫度不如公板之外，在實際操作 3DMark 過程中也是高於公板卡的溫度不少，幅度約為 6、7 度。

理論上採用 2D 水冷排的 ARES III，溫度表現要優於公板的 1D 水冷排，但實際上卻是有著如此高的落差。其實原因不難從幾個地方解析出來，第一公板卡具備雙泵，流速遠高於單泵的 ARES III，不過實際流速仍然需要外接流速計才能得知精確數據。第二是公板卡並未加入 VRM 解熱區域，這點在我們之前的所有顯示卡測試中，都可以發現 VRM 溫度並不亞於核心溫度，在部分情況下更勝於核心。最後則是風扇的部份，由於測試方並未提供兩者風扇數據，所以並無法得知是否具備大幅度落差，另外在鰭片密度上，該風扇轉速是否合適，則是另一個可考慮的問題。

不過純水冷的顯示卡，最大優勢在於它可以按照使用者的需求進行分配，冷排也並不侷限在 2D 上，只要環境許可，4D 大型水冷排也不無可能，屆時表現只會更佳，這一點是公板水冷卡在設計上無法超越的高牆。

▲耗電量 ARES III 大約要高出 40W 左右，在溫度上則是略高 6、7 度左右。