Samsung 發表 850 EVO 固態硬碟，3D V-NAND 加持更經濟實惠？

Samsung 發表第 2 款搭載 3D V-NAND 的固態硬碟 850 EVO，與首個應用 3D V-NAND 顆粒的 850 PRO 相較下，850 EVO 延續 840 EVO 設定，同樣採用 TLC 顆粒。此舉將價格壓低到每 GB 只要 1 美元，明顯較 840 EVO 來得吸引人。

Samsung 850 EVO 產品線將會推出 120、250、500GB 與 1TB 版本，官方規格標示循序寫入速度皆可達到 520MB/s，另外在循序讀取速度也有 540MB/s。除了現行 2.5 吋、7mm 高度、SATA 6Gb/s 介面產品，Samsung 也計畫在明年推出 mSATA 和 M.2 介面版本，一口氣將 3D V-NAND 固態硬碟產品線擴大。

▲ 除了 SATA 介面外，SSD 850 EVO 也會拓展到 mSATA 與 M.2 產品線。

官方表示 850 EVO 比起上一代 840 EVO 有更好的耐用性，這要歸功於 Samsung 自家 3D V-NAND 堆疊封裝技術與 40nm 製程，堆疊封裝可以增加單一顆粒的容量，而 40nm 舊制程技術可使 Cell 單元之間的干擾變小，增加 TLC 顆粒先天不良的寫入次數。附帶一提，850 EVO 的記憶體顆粒是使用 Samsung 第二代 3D V-NAND Flash 技術生產，單一顆粒堆疊數量最多能達到 32 層。

▲Samsung 是全球最早推出 3D 堆疊封裝記憶體應用產品的廠商，第二代的 3D V-NAND 可堆疊到 32 層，大大增加了容量。

850 EVO 除了 1TB 版本是沿用舊款 MEX（Cortex-R4 400MHz、3 核心）控制器外，其餘款式皆使用新設計的 MGX 控制器，不過 Samsung 並沒有透漏關於 MGX 控制器的細節。得留意，那超過 520MB/s 的寫入速度是靠 TurboWrite 技術，以及顆粒內部分 SLC 單元加速來達成。而官方保證寫入耐用度方面，120 與 250GB 版本為 75TBW，500GB 與 1TB 版本則為 150 TBW，實際使用的耐久度應會更長。