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Plextor 曾於 Computex 2014 展出 M6G 系列固態硬碟,這是基於 M.2 規範設計,同時提供 2280、2260、2242 尺寸,採用 SATA 6Gb/s 控制器的新產品。M6G 已經於稍早前俏俏上市,這邊將介紹 2280 版本的 M6G-2280,藉由效能與 4K 隨機寫入測試,窺探其 Marvell 控制器搭配 Toshiba 顆粒組合的表現。
M.2 開始導入應用之際,舉如 Crucial、Intel 等固態硬碟廠商,所推出產品都是沿用舊有 SATA 介面控制器。少數例外之一的 Plextor,首先是推出搭配轉接卡的 M6e(型號:PX-GAxxxM6e),而後才補上純 M.2 版本(型號:PX-GxxxM6e),兩者控制器所支援通訊協定皆為 PCIe 2.0。
Plextor 與 Samsung 都選擇了不同的起跑點,在 M.2 這新外形尺寸和連接器腳位定義基礎下,率先採用支援 PCIe 的固態硬碟控制器,目標市場和其他競爭廠商截然不同。不過 Plextor 方面並沒有忽略廣大的潛在市場,M6e 系列定位以鎖定效能玩家、工作站為主,普羅大眾市場則由低調現身的 M6G 系列擔綱。
SATA 版低調開賣,布局和 PCIe 版大不同
▲ 圖左 M6G-2280、圖右 M6e,如果覺得產品型號不好記,那麼留意包裝字樣就不會錯買 PCIe 或 SATA 版本。
M6G 依循 M.2 規範設計,當前已有多個子系列產品,型號和尺寸相對應,分別為 M6G-2280、M6G-2260、M6G-2242 等。各系列可提供最大容量,依電路板尺寸可配置零組件而異,其中 8 公分的 M6G-2280 提供 64、128、256、512GB 容量,M6G-2260 容量最大只到 256GB,而僅 4.2 公分的 M6G-2242 最高只有 128GB。
此篇介紹的 M6G-2280 為 256GB 容量(型號:PX-256M6G-2280),從外觀來看電路板零件配置布局,可發現和比較組 PX-G256M6e(M6e 256GB)差異點頗多。M6e 是採用 Marvell 型號 88SS9183 的消費性等級控制器,只支援 PCIe 2.0 x2 通訊協定,電路板正反兩面共配置 8 顆快閃記憶體。
而 PX-256M6G-2280 只利用到單面空間,所採用控制器讀者們並不陌生,是和 M6S 相同的 Marvell SS9188。這款 SATA 6Gb/s 介面消費性等級控制器,是為前旗艦 88SS9187 的簡化小改款產品,核心縮減為 4 通道並強化節能性。此外,Plextor 只動用了 2 顆快閃記憶體,得 512GB 版本才有將電路板正反兩面,所布局的 4 個焊點位置全數利用到。
▲ 圖下 M6G-2280、圖上 M6e。
▲ 圖下 M6G-2280、圖上 M6e。
採用高堆疊數量顆粒,簡化電路布局
以我們收到的測試樣品為例,其快閃記憶體和其他型號產品相仿,都是採用 Toshiba 簡稱 A19 的新一代 19nm 製程顆粒。PX-256M6G-2280 所配置顆粒型號為 TH58TFT0DFKBA8J,解碼推敲規格為 Toggle 2.0、BGA 腳位封裝、4CE 堆疊,也就是說這單一容量高達 128GB 的顆粒,是由 4 個 32GB 裸晶圓堆疊封裝而來。
至於 Marvell 設計方案必要動態隨機存取記憶體,PX-256M6G-2280 配備了 512MB 容量,受測樣品是採用 SK hynix 製 DDR3L-1600 顆粒。至於其他版本配置資訊,分別為 64GB / 128MB、128GB / 256MB、512GB / 768MB,其中 512GB 版本是使用了 2 顆不同容量顆粒組成。
▲ PX-256M6G-2280 完整電路布局。
在此配置組合下,M6G-2280 最佳存取性能,不外乎也是以容量最高的 512GB 版本為首。官方標示為循序讀取 520MB/s、寫入 450MB/s,而隨機部分為讀取 95,000IOPS、寫入 81,000IOPS。256GB 版本基本上而言相去不遠,只是隨機 IOPS 略低一些,而 128GB 和 64GB 因為控制器所控制晶圓數量較少,因此寫入部分合理的低一些。
▲ M6G-2280 官方規格資訊。
M6G-2280 韌體層設計,具備 Plextor 所標榜的 TrueSpeed 實境效能技術,藉由強化 Trim 與 GC(Garbage Collection,垃圾回收)機制,減緩長期使用下來無可避免的寫入掉速現象。透過 CrystalDiskInfo 來查看韌體資訊,M6G-2280 和 M6e 一樣提供讀、寫資料量資訊,並且支援最新的 DevSleep(Device Sleep)省電模式。
▲ CrystalDiskInfo 偵測資訊。
(下一頁還有:效能測試與寫入耐久度測試分析)
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