記憶體效能極限震撼，從 DDR3 開始練超頻

主機板

隨著X58、P55等架構的問世，主機板對於記憶體超頻的影響更為減輕。因此，在主機板的搭配上，只要選擇中階以上的產品即可，比方像華碩的Maximus、Pro系列，以及技嘉的UD4系列等都OK。通常這類主機板用料具有一定的水準，超頻穩定性自然較佳，同時也較能承受高溫下的運作，元件不易提早老化。另一方面，BIOS內的功能項目亦較為完整，提供使用者超頻設定上的彈性。當然，若要挑戰DDR3  2200、DDR3  2400這類的頂級超頻任務，搭配高階主機板將更加如虎添翼。 

實戰1：DDR3超頻設定

▲進入「AI Tweaker」項目後，先將「Ai Overclock Tuner」切換至「Manual」模 式 ， 再分別調整 CPU外頻、倍頻（BCLK Frequency、CPU Ratio）為192與16，同時記憶體頻率（DRAM Frequency）設定為2304MHz（x12），並將QPI  Frequency變更至6150MHz（x32），且不要忘了關閉SpeedStep功能。

▲接下來選擇「DRAM Timing Control」子項目，依序調整tCL、tRCD、tRP、tRAS及CMD等時序參數為9-9-9-24-1N，其餘則維持在預設值Auto。

▲回到上一層選單後 ，將CPU Voltage（CPU電壓）、IMC Voltage（QPI電壓）及DRAM Voltage（記憶體模組電壓）分別設定為1.3V、1.35V及1.6V。

▲最後則是進入「Advanced」項目，將CPU支援之功能關閉，僅開啟Hardware  Prefetcher、Adjacent  Cache  LinePrefetch 及 Intel   HTTechnology三項參數，並確認CPU核心全開（Active Process Cores=All）。

▲於BIOS中開啟XMP功能，即可自動超頻至該記憶體規格，省去繁瑣的調整步驟。

飆速與穩定並重

畢竟記憶體的發熱量不若CPU，超頻後的溫度只能算普通而不燙手，那是否還需要著重散熱？筆者的答案是肯定的，就個人經驗而言，當溫度超過攝氏60度時，長期運作會衰減。 

超頻設定不求人

記憶體超頻的調整方式，除了透過BIOS外，同樣也可使用主機板工具軟體來達成。不過，畢竟這類工具程式的調整項目不若BIOS來得全面，且在Windows作業系統下超頻風險較高、容易造成系統檔案的損壞而無法開機，因此這裡還是以BIOS調校做示範。 

選擇Intel平台做示範的原因，不外乎是AMD不論是Phenom II還是Athlon II，搭配790GX、780G等晶片組，最多只能支援至DDR3 1600 CL7的水準，同時考量到現階段DDR3超頻記憶體的市場也以Intel的佔有率較高，故才會採用Core i7 870加上P55晶片組的主流組合。至於Intel高階的X58平台，則由於架構上與P55系出同門，因此記憶體超頻設定方式十分相近，僅電壓值差異而已。此外，事前建議先將主機板BIOS升級至最新版，確保平台相容性、超頻性及穩定性皆處於最佳狀態。 

手動超還是自動超

依照「實戰1」裡的步驟調整DDR3記憶體的超頻設定，其中CPU與QPI電壓的高低幅度，要看CPU本身的超頻能力而定，因此這裡的調整數據僅供參考。另一方面，在X58、P55誕生後，Intel官方將記憶體電壓的上限定義至1.65V，否則有可能造成CPU超頻能力的衰減。

對初學者而言，或許會覺得經由BIOS的超頻方式較為複雜，且各家主機板在BIOS的項目名稱與分類上也不盡相同，或多或少有著使用設定上的障礙。有鑑於此，Intel自X38開始，發表了XMP（Extreme  Memory  Profile）技術，原理上與NVIDIA推出的EPP有異曲同工之妙。XMP是利用DDR3 SPD值未使用到的176～256 Bytes部分，寫入時脈、時序及電壓等設定值，在主機板晶片組支援的前提下，並於BIOS中將XMP功能開啟，即可自動超頻至該記憶體模組之標示規格，省去調整BIOS的繁雜步驟。附帶一提，當前XMP最新版本為1.2版，加入了控制QPI電壓的設計，這些功能可以透過CPU-Z之類的工具軟體得知。 

細部調校心法

瞭解記憶體超頻的設定方法後，該如何逐步探勘出手中記憶體的極限？以DDR3發展而言，目前頻率範圍介於1600～2400MHz左右，時序則是9-9-9-24～6-6-6-18。根據筆者的經驗，通常會在「時序」與「頻率」兩者間擇一，將其調至最低並固定後，再針對另一項條件進行超頻，且由最高設定值逐一向下嘗試。 

舉 例 來 說 ， 若 使 用 的 是 D D R 3 1866  CL8-8-8-24，建議時序先降低至9-9-9-24-1N，然後提高頻率至2400MHz。如果無法運作，以每50MHz遞減，尋找此記憶體模組所能支援的穩定頻率值。接著在頻率值維持不變的狀態下，採用原來的8-8-8-24規格，以此向下嘗試找出最適合的時序配置。 

總而言之，記憶體超頻就是找出「時序」與「頻率」的最佳組合，因此前述方法只是基本原則，實際上還是需要不斷嘗試，尤其是4個時序值間的搭配。當時序參數達不到時，一般都會先將CL值調降一個級距，再搭配原先的tRCD、tRP及tRAS繼續嘗試。其實方法並無不妥，但對P55、X58平台而言，卻是對tRCD、tRAS較為敏感，放寬這兩項參數後，讓原本無法達到的CL值可以實現，比方像6-6-6-18調整為6-7-6-24即是一例。 

火力展示

到底「時序」與「頻率」何者在超頻後對記憶體效能的幫助較大？畢竟這兩者兼具的旗艦級產品較不多見，且價格不易被人所接受。因此，透過SiSoftware  Sandra、PCMark  Vantage及Everest  Ultimate等軟體內的記憶體測試項目，觀察不同時序與頻率間搭配後的效能增長情形。

當採用低時序的設定時，確實補強了頻率之不足，例如DDR3  1600 CL7，在Everest、PCMark中的成績，均超過DDR3  1866  CL9，效能甚至接近DDR3  2000  CL9。然而，在DDR3 1866 CL8部分，低時序的幫助卻沒有非常明顯。由此可見，DDR3若要主攻時序參數的超頻，至少要從CL7起跳，也因為如此，CL6加上高頻率的設計，亦成為目前超頻記憶體廠商的發展方向。 

整體而言，低時序對效能的幫助從DDR3  2000開始遞減，相對地這時頻率高低成為主導關鍵，像DDR3  2200 CL9在各項評測中均保持領先即是如此。不可諱言地，此種現象或多或少亦有可能來自於Core  i7有別於以往的設計架構特性。