製程推進、GDDR6 與 64 層 3D NAND Flash，Micron 更新 2017 年度產品規劃

在 Micron 2017 年度的分析師會議上，這家公司給出一些方向與目標。沒有任何新產品公佈，但 2017 年 Micron 這家公司的產品規劃可能有了一些大致方向，同時也包含下一代 GPU 用記憶體的規劃。

2016 年，Micron 與 Intel 的合資企業成為第二家供應 3D NAND Flash 的公司。當時 32 層的第一代 3D NAND Flash 已經在不少產品上導入，現在開始進入 64 層 3D NAND Flash。然而，現階段 64 層 3D NAND Flash 仍處在 Sampling 階段，預計要到 2017 年才會進入大量生產階段。

512Gb 的 64 層 3D TLC NAND Flash 是 Micron 的重點之一，但 Micron 也會提供 256Gb 的 3D TLC NAND Flash。

有趣的是，256Gb TLC NAND Flash 的尺寸為 59mm²，或是 4.3 Gb/mm²；相較於其他競爭品牌的 64 層 3D NAND Flash，面積要小了 25% 左右。

此外，Micron 也在 QLC NAND Flash 部分有所投入，但他們並沒有對此揭露太多資訊。

記憶體部分，主要是 GPU 用的 GDDR6 以及製程的推進。

Micron 預期會在 2017 年開始使用 16nm（1Xnm）生產 GDDR5 記憶體，但確切時間不詳，另外 1Ynm 與 1Znm 的製程也在進行中，其中 1Ynm 會率先導入，時間點在 2017 下半年。對於 Samsung Electronics 和 SK Hynix 在 HBM 記憶體的佈局，Micron 似乎沒有任何回應，但這家公司在 GDDR5X 與 GDDR6 有著相當深的投入。