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去年 7 月 Toshiba 與合作夥伴 WD，揭露快閃記憶體最新研發進程，表示將開始投入 64 層堆疊 3D NAND 生產，單一晶圓容量可達 256Gbit。此刻由 WD 率先發聲，指出已經開始試產同為 64 層堆疊結構，但是容量倍增至 512Gbit 的 3D NAND，預計下半年可以正式投產。
WD 完成併購 SanDisk 之後，仍然維持和 Toshiba 既有的合作約定，投資研發與生產快閃記憶體。WD 日前率先宣布，已經開始試產 TLC 類型 64 層堆疊 3D NAND，晶圓切割後單一容量可達 512Gbit。官方仍將之稱為 BiCS3，意為 bitcost scalable 架構第三代產品，本質結構理應當和去年 7 月所發布 256Gbit 產品相同。
時隔半年左右，WD 和 Toshiba 實現容量倍增，迎頭追上 Samsung 甚至是閃了大燈超車。新產品將於 WD 與 Toshiba 雙方，位於日本四日市市的合資工廠進行試產，WD 表示預定在今年下半年可以正式投產。雖然 Toshiba 近期傳出為縮減虧損，有意出售半導體事業群部分股票給予 WD 之類廠商，但內部運作並未受到影響。
▲ BiCS3 結構示意圖，共堆疊 64 層記憶儲存單元。
BiCS3 容量倍增至 512Gbit，晶圓切割所得數量相當但是容量加倍，這將使利潤與價格操作更具有彈性。此外也有助於打造出更高容量固態硬碟，512Gbit（64GB）切割成品像是結合 4CE 堆疊封裝技術，單顆顆粒容量可以達到 256GB，只要 4 顆就能製作 1TB 固態硬碟。可預期，在供需平衡前提下，固態硬碟未來是會容量更大、更便宜。
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