QLC 世代即將來臨，WD 發布 BiCS3 X4 快閃記憶體訊息

WD 和 Toshiba 合資快閃記憶體技術開發與生產製造，今年雙方新訊息不斷傳出，WD 方面於 6 月曾發布 96 層堆疊的 3D NAND 消息，當時即指出適用於投產 TLC 以及 QLC 類型顆粒。相隔一個月，WD 再度發布消息證實投產 QLC 的可行性，未來趨勢隱約可見。

WD 甫發布快閃記憶體新訊息，主要是以 4-bits-per-cell（x4）表示之，用大家比較熟悉的字眼來說，這正是 QLC（Quadruple Level Cell）架構產物。WD 先前曾提過這樣的計畫，但那是指基於新一代 BiCS4 技術，3D NAND 堆疊數量能達到 96 層之多。而新發布產品是以當前成熟的 BiCS3 技術投產，堆疊數量只有 64 層，運用於 QLC 是以 BiCS3 X4 字眼來代表。

儘管是植基於 64 層堆疊 3D NAND 技術，QLC 記憶狀態終究比 TLC 多，因此裸晶容量仍然可以達到 765Gbit（96GB）。反觀同技術世代的 TLC 產品只有 512Gbit（64GB），意味從 TLC 轉入 QLC 能夠立即提升 50％ 容量，儲存密度是吸引廠商投注開發的關鍵之一。WD 指出包含未來的 BiCS4，將致力於推動 QLC 讓市場接受，接替 TLC 成為行動裝置、固態硬碟等應用的選擇。

▲ 依據 WD 規劃而言，2017 年是實現 QLC 應用可行性的元年。

無論你再怎麼無視 TLC（Triple Level Cell），都難以否認 TLC 已經蔚為主流，廠商藉由導入新式錯誤修正碼，提升其理論抹寫耐用度。WD 上個月首度發布 QLC 相關訊息時，理論耐用度確實引起一波議論，外界推測只有 100~150P/E（Program/Erase Cycle），遠低於 TLC 當前理想平均值 1000P/E。但是從 TLC 應用實例來看，現階段要說 QLC 絕對不勘，恐怕還言之過早。

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