Samsung Z-NAND 是對付 Intel 3D XPoint 的好幫手？首款 SZ985 強調降低存取延遲時間

Intel 3D XPoint 非揮發式記憶體近來在電腦系統內部的角色逐漸明朗，企業伺服器端推出 Optane SSD DC P4800X，消費市場則為 Optane SSD 900P，未來還有 DIMM 形式的產品陸續登場。而競爭對手 Samsung 此時也拿出了 Z-NAND 與 SZ985，同樣是以低存取延遲時間為賣點。

Intel 與美光共同合作研發的 3D XPoint 非揮發式記憶體自從發表以來，一舉一動均為鎂光燈注意的焦點，該記憶體結合快速、低延遲、高耐用度等多種面向，試圖於傳統系統記憶體和 SSD 之間再切出 1 塊嶄新的市場。目前已知產品在企業端將會推出 Optane SSD DC P4800X，未來也會具備 DIMM 形式；而消費端先前率先以傳統機械式硬碟加速器身分，推出 Optane Memory，近期則推出具備 U.2 或 HHHL 形式的 Optane SSD 900P，進攻頂級玩家市場。

另外一家快閃記憶體製造商 Samsung 近日發表 Z-NAND 與 HHHL 形式的 SZ985，同樣標榜低存取延遲時間，目標企業與資料中心使用環境，一般使用者無緣接觸。Z-NAND 究竟替原本的快閃記憶體形式加上何種變更並未詳細說明，僅知 Z-NAND 與該廠 V-NAND 同為 3D 快閃記憶體類型，內部加上特殊的電子線路，再配合設計過的控制器，能夠達成低存取延遲目標。

▲首款採用 Z-NAND 的產品為 SZ985，目前僅有 800GB 容量規格，使用 HHHL 介面卡外觀形式，電路板除了安放 Z-NAND 之外，似乎也有不少的 DRAM 作為快取使用。

▲SZ985 相關規格。

採用 Z-NAND 的首款產品為 SZ985，HHHL 外觀形式達成 800GB 容量，對外使用 PCIe 3.0 x4 傳輸通道，連續讀寫速度均可達 3.2GB/s，隨機讀寫 IPOS 分別為 750K/170K。延遲部分雖不若 Optane SSD DC P4800X 可以達到 10µs 等級，隨機讀寫也有 12-20µs 與 16µs 的表現，DWPD 雙方均為 30，也就是在保固年限內每日可寫入自身容量的 30 倍。

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