WINDFORCE 3X 散熱器加持，GIGABYTE GeForce GTX 1070 Ti GAMING 8G 測試動手玩

NVIDIA 推出 GeForce GTX 1070 Ti 繪圖顯示晶片，相較 GeForce GTX 1080 僅有 1 組 SM 的差距，價格卻便宜不少，對抗 AMD Radeon RX Vega 56 的同時也給玩家不少福利。合作廠商趁此機會大搶市佔率，譬如 GIGABYTE GeForce GTX 1070 Ti GAMING 8G，就是實在的好選擇。

雙槽位體積、雙 8mm 直觸式熱導管、3 風扇

GIGIABYTE GeForce GTX 1070 Ti GAMING 8G 吸引人的地方，在於即便更換成 3 風扇 WINDFORCE 3X 散熱器，依然維持雙槽體積，高度也是標準設計，僅有長度部分相較 Founders Edition 多出 15mm 左右。直徑 80mm 的風扇葉片中央有個三角小突起，轉動時藉此處分離空氣，再由葉面紋路引導空氣流動，宣稱比起一般設計能夠增加 23％風流量。

產品運作加入現在流行的低溫停轉機制，達成 0dB 零噪音目標。散熱器側邊加上 GIGABYTE 標誌 RGB LED 燈光特效，還有 FAN STOP 低溫停轉機制的指示燈，2 者均能透過軟體改變顏色與閃爍效果。2 條 8mm 熱導管內部採用粉末燒結加上溝槽式製程，相較單一溝槽式能夠更好地傳遞熱量。顯示卡背部則安排金屬背板強化，只是和檔板之間沒有肋條加強支撐性。

▲外包裝主視覺設計採用單隻機械眼，並使用 GAMING 系列的橘色。

▲背面強調 WINDFORCE 3X 散熱器特點，以及 RGB Fusion 燈光設計和金屬背板。

▲零配件以必要性為主，分別為使用安裝說明書，以及包含驅動程式和公用程式的光碟片。

▲GeForce GTX 1070 Ti GAMING 8G 散熱器造型加入多邊形凹凸，並以橘色線條點綴。

▲背部金屬強化板沖壓凹凸線條，髮絲紋面板中央再印上 GIGABYTE 商標。

▲檔板與散熱器和強化背板之間，未能設計支撐肋條。

▲側邊的 GIGABYTE 商標和 FAN STOP 指示燈均為 RGB LED。

▲風扇葉片中央有個小突起，據稱能夠加強 23％風流量。

▲1 組 PCIe 8pin 輔助電源轉向 180 度，卡榫朝向電路板方便使用者安裝拆卸。

▲SLI HB 橋接器連結接點。

▲輸出埠均附有防塵塞，安排 1 個 Dual-link DVI-D、1 個 HDMI 2.0b、3 個 DisplayPort 1.4。

GIGIABYTE GeForce GTX 1070 Ti GAMING 8G 規格

顯示晶片：NVIDIA GeForce GTX 1070 Ti
運作時脈：1607/1683MHz（Gaming Mode）、1632/1721MHz（OC Mode）
記憶體：GDDR5 8Gb/s、256bit、8GB
插槽介面：PCIe 3.0 x16
視訊輸出：Dual-link DVI-D x 1、HDMI 2.0b x 1、DisplayPort 1.4 x 3
輔助電源：PCIe 8pin x 1
尺寸： 41 x 114 x 280（mm）、雙槽位

顯示晶片擺中間、電源供應靠兩邊

一般而言，NVIDIA 中、高階顯示卡的電路板元件布局，都是顯示晶片和記憶體擺在左方，主要和記憶體電源供應擺在右方，而這張顯示卡改成顯示晶片和記憶體擺在中央，左方和右方分別擺放主要和記憶體電源供應。如此這般，就能夠利用熱導管中間部分以直接接觸方式吸收廢熱，再往兩旁散熱器片傳遞，縮短路徑距離。

▲散熱器除了顯示晶片之外，也有加裝導熱墊負責記憶體以及顯示晶片供電轉換區的散熱工作。

▲2 條 8mm 直觸式熱導管完整覆蓋顯示晶片。

▲GeForce GTX 1070 Ti GAMING 8G 電路板一覽。

▲相較於 Funders Edition，這張顯示卡把晶片和記憶體向右旋轉 90 度擺放。

▲Micron GDDR5 記憶體，單顆容量 1GB 共安排 8 顆。

顯示晶片主要供電採用 6 相設計，控制器為 uPI uP9511P、驅動器為 TI TPS53603A，每相使用 1 顆 Alpha and Omega AON6594 作為上橋 MOSFET，最高耐電流 35A，下橋 MOSFET 則使用 2 顆 AON6508，以並聯方式降低導通電阻。各相後方搭配 1 顆 0.15μH 電感，全部相位再並聯 8 顆 820μf 固態電容。值得一提的是，固態電容旁邊還站了一排數十顆積層陶瓷電容，負責濾除高頻雜訊。

▲顯示晶片主要供電轉換區。

▲uP9511P 8 相控制器，僅使用其中 6 相。

▲晶片主要供電單相由 1 顆 AON6594 和 2 顆 AON6508 組成。

記憶體主要供電由 1 顆標記為 7J=4H V1M 的晶片控制，各相採用 1 顆整合 2 個 MOSFET 的 AON6994，後方串接 1 顆 0.22μH 電感，2 相再並聯至 3 顆 820μf 固態電容。供電來源拓樸部分，顯示晶片 5 相由 PCIe 8pin 提供，1 相則由 PCIe x16 插槽提供，記憶體部分則全部交由 PCIe x16 插槽。

▲記憶體主要供電轉換區。