Rambus 揭露下一代記憶體速度，DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍

Intel Pentium 4 發售初期，因為市面上沒有其它足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體，而選擇採用較不常見的 RDRAM 作為搭配，其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在 1 場投資者會議上談到未來記憶體趨勢，DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。

如果大家還記得 Rambus 公司，可能都是較為負面的消息，但其實這家公司手上依然有許多記憶體技術專利，雖然主導的 RDRAM 無論在消費或是企業市場都以失敗收場，每年卻依靠這些專利擁有破億美金的授權收入，在技術上依然有其領導地位。

根據 ComputerBase 網站的消息，Rambus 近日於投資者會議上些微透露下一世代記憶體的規格，HBM3 將使用 7 奈米製程製造，具備 4000Mbps 的傳輸速度，而 DDR5 同樣使用 7 納米，預期將有 4800Mbps～6400Mbps 的傳輸速度。這些單 pin 針腳傳輸傳輸速度，若是乘上 1024bit 和 64bit 的匯流排位元寬度，則最高相當於 500GB/s 和 50GB/s。

▲HBM3 和 DDR5 預計最高頻寬均能翻倍。（圖片來源：ComputerBase）

現在談下一世代記憶體速度只是個展望，HBM2 在顯示卡市場還不是相當普及，DDR4 在 AMD 和 Intel 2 家的標準支援速度也才剛剛跨過等效 2666MHz 門檻，還沒有達到 JEDEC 制定的最高規格 3200MHz。Rambus 所提的 7 奈米製程，預計還要經過好幾年才有辦法進入量產階段。

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HBM3 und DDR5: Rambus will beim Next-Gen-Speicher mitmischen

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