Air Spacer 減少寄生電容，Samsung 第二代 10 奈米等級 DDR4-3600 開始量產

近來無論是快閃記憶體或是動態記憶體，都因為生產無法應付市場需求，價格時常維持在高點，因此有任何新產能開出都是好消息。Samsung 正式量產第二代 10 奈米等級 DDR4 記憶體，出廠預設值即可達 3600Mbps，並應用新技術克服微縮製程帶來的負面效應。

外行看新聞炒股，內行則看新聞吸收技術新知，Samsung 近日正式發表採用第二代 10 奈米等級製程（1y-nm）量產 DDR4 記憶體，預設速度可達 3600Mbps，第一代 C-die 則為 3200Mbps。而現今備受推崇的 Samsung B-die，則採用 20 奈米等級生產，出場預設速度也僅有 2666Mbps，高速版均為模組廠商自行篩選。

第二代 10 奈米等級微縮製程所製造的 8Gb DDR4 記憶體顆粒，相較第一代大約增加 30％ 的產量，能源效率也進步 10％～15％。微縮製程當然也不僅僅只有好處，也會帶來一些負面影響，譬如動態記憶體就會遇到電容器儲存電荷不足，無法判定 0 與 1 的問題，周遭材料的寄生電容也會影響判斷精確程度。

▲Samsung 第二代 10 奈米等級 DDR4 記憶體封裝顆粒。

Samsung 第一代 10 奈米等級製程先行導入蜂巢式結構，增加各電容器之間的距離加大電荷儲存量，第二代 10 奈米等級製程再導入 2 種技術，其一為 high-sensitivity cell data sensing system，使用更高敏感度的電路設計判斷電容器狀態，另外一種 air spacer 則是去除電容器旁邊無謂的材料，降低位元線的寄生電容量。數種技術加起來，使得 Samsung 還不需要導入昂貴的 EUV 極紫外光微影設備，就可以先行生產第二代 10 納米等級記憶體。（10 奈米等級＝10nm～19nm）

▲蜂巢狀結構動態記憶體示意圖。（圖片來源：2015 IEDM Slide 1: DRAMs Poised for 20nm and Below）

▲air spacer 示意圖。（圖片來源：A Look Ahead at IEDM 2015）

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