記憶體量產版速度容量再提升，Samsung 推出 2.4Gbps HBM2 與 18Gbps GDDR6

去年底 Samsung 16Gbps GDDR6 因獲得 CES 創新獎項，讓我們能夠一窺未來顯示記憶體的相關數據，近日正式量產資訊公布，速度與容量又往上提升。該公司第二代 8GB HBM2 速度可達 2.4Gbps，而 GDDR6 則是同步達成 18Gbps 速度與 16Gb 容量。

身為記憶體製造龍頭，Samsung 前幾日正式宣布開始製造第二代 HBM2「Aquabolt」高頻寬記憶體，單一晶粒容量可達 8Gb，速度則為 2.4Gbps。單一封裝包含 8 顆晶粒，存取匯流排寬度可達 4096bit，因此容量與傳輸頻寬共有 8GB 和 1.2TBps，所需運作電壓也從第一代HBM2「Flarebolt」的 1.35V 下降至 1.2V。

HBM2 單一封裝所使用的 TSV 矽穿孔技術超過 5000 個連接點，高速存取時很容易因為路徑長短不一的關係導致時基訊號偏移（clock skew），Samsung 成功跨越此項障礙達成 2.4Gbps。此外運作時脈上升也帶來溫度控制難題，依此封裝各個晶粒之間增加許多用以傳遞廢熱的焊接點，封裝底部再增加 1 層保護層，加強實體封裝強度。

▲Samsung 第二代 HBM2 在消費市場的應用範圍，預計還是以頂級顯示卡為主。

今年開始，第一款搭配 GDDR6 記憶體的顯示卡將如期上市，GDDR6 採用與 GDDR5X 相同的 1.35V 電壓，也需要額外的 1.8V Vpp 供應給 word line 使用，單一封裝最大匯流排寬度與 GDDR5、GDDR5X 相同為 16bit x 2，因此主要還是透過提升等效時脈的方式增加頻寬。

去年年底 Samsung GDDR6 因為獲得 CES 的創新獎項，而率先透露該公司所製造的 GDDR6 已達 16Gbps，近日正式量產新聞則指出速度再往上調達 18Gbps，單一封裝頻寬 72GBps，並採用 10 奈米等級製程製造。更有甚者，單一封裝已經來到 16Gb，也就是未來顯示卡只要安排 4 顆 GDDR6，就具備 8GB 容量，8 顆 GDDR6 即可達 16GB 之譜。

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