Micron、Intel、Western Digital、Toshiba 紛紛端出 QLC 快閃記憶體，Samsung 持續加碼 NAND 產能

無論各位讀者喜不喜歡，每個 cell 可以儲存 4bit 資料的 QLC NAND 正在前方道路緩緩到來。繼 Micron 首先利用自家 64 層 3D 堆疊產品製作企業市場讀取密集應用 5210 ION SSD，其餘各大 NAND 製造商也紛紛宣布推出 QLC 樣品或是實際 SSD 產品。

為了增加每單位的儲存容量以及降低成本，NAND 型快閃記憶體從每個 cell 僅能儲存 1bit 的 SLC，逐漸成長至 2bit/MLC、3bit/TLC，而如今每個 cell 可以儲存 4bit 資料的 QLC 即將問世，主要製造商紛紛在近期端出相關產品。Micron 開出第一槍，表示第一款商業化 QLC NAND 快閃記憶體正式出貨，還利用它製作企業市場密集讀取型 SSD 5210 ION。

我們都知道 Micron 和 Intel 在快閃記憶體合作多年，2 者產品多有共通性（雖然未來確定要分道揚鑣），因此 Intel 近日也在自家 Twitter 新聞頻道宣布將推出企業級 QLC SSD，產品介面採用 PCIe 規格，5210 ION 則為 SATA 6Gb/s，或許也有藉此分佔市場的意味存在。除此之外 Intel 並未詳細透露這款產品型號規格，僅表示將於 8 月初舉辦的 Flash Memory Summit 釋出更多細節。

▲Intel News 近日刷了一下 QLC SSD 存在感，除了宣布 PCIe 企業級產品，其餘相關資訊要等到 8 月才可知曉。

與我們消費者最為密切的資訊，當屬 Western Digital 宣布推出該廠第二代 3D 堆疊 BiSC4 QLC 快閃記憶體，單一晶粒高達 1.33Tb 容量，目前正處於樣品階段，預計今年年底之前即可進入量產階段。同時段，Western Digital 也會利用 SanDisk 品牌推出消費等級產品，未來也會將此 BiSC4 QLC 快閃記憶體應用於企業市場。

▲Western Digital BiSC4 QLC 訊息較為明確，今年底之前就會推出 SanDisk 消費端產品。

Western Digital 藉由 SanDisk 與 Toshiba 享有開發合作夥伴關係，因此 Toshiba 也在 Western Digital 釋出新聞稿之後數個小時，隨即宣布 3D 堆疊 96 層 BiCS 快閃記憶體樣品，同為 QLC 紀錄形式，最大單一晶粒容量也是 1.33Tb。更進一步透露單一封裝可以安排 16 個晶粒，也就是 1 個封裝即享有 2.66TB 容量。若以 2.5 吋/7mm 設計，內部 1 片電路板正、反面至少可以安排 16 顆封裝，即可組合出 42.5TB 容量。（註：不一定為使用者可用儲存容量）

▲Toshiba 給予單顆封裝能夠整合 16 顆 QLC BiSC 晶粒資訊，提供 2.66TB 容量。

Samsung 雖然是最早喊出 QLC 紀錄形式快閃記憶體的廠商，卻也一直保持神秘的色彩，近期宣布第五代 3D 堆疊超過 90 層的 V-NAND 進入量產，僅提到目前第五代 V-NAND 為每 cell 紀錄 3bit，每 cell 紀錄 4bit 版本正在規劃當中。不過 Samsung 今年和明年加碼投資在韓國與中國的製造工廠，用以提升產能搶占市場，若未來市場需求無法跟隨供給同步增加，今年開演的 SSD 價格下滑戲碼還會推出不少續集。

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