Western Digital 今日推出業界首款96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體 (EFD, embedded flash drive) Western Digital iNAND MC EU321，專為高階行動和運算裝置所設計，包括人工智慧(AI)、擴增實境(AR)、多鏡頭高解析度攝影、4K影片拍攝等應用都能夠加速運行，擁有不間斷的運行體驗。
採用 Western Digital 的96層3D NAND技術、UFS 2.1介面技術和 iNAND SmartSLC 5.1架構，Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體為智慧型手機、平板電腦和個人筆電裝置帶來卓越的數據效能，即使裝置容量空間接近全滿，消費者仍享順暢的行動體驗。iNAND MC EU321是 iNAND 系列最新生力軍，連續寫入效能達550MB/s，Western Digital目前已針對儲存解決方案提供 OEM 客戶樣本，容量最高為256GB。
Western Digital 產品行銷資深總監 Oded Sagee 表示：「隨著5G連網速度、4K高畫質影片、擴增實境和虛擬實境等應用興起，也促使著智慧型手機、平板電腦和筆電所需具備的功能持續轉型；使用者對於產品的期待，以及支援這些豐富使用者體驗的技術需求也越來越高。」
Oded Sagee 進一步指出：「我們的3D NAND 技術提供使用者更大的嵌入儲存容量，以支援整個智慧型手機生命週期中的數據需求。除此之外，相較於採用傳統儲存架構的裝置在儲存容量近滿時效能會降低，專為維持高效能而打造的 Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體，能讓使用者持續創造、保存並享受他們一致的數位體驗。」
隨著更多以數據為中心的應用將在行動及運算裝置上運行，預期將帶動未來幾年行動數據在數量、傳輸速度與數據種類的爆發性的成長。
- 多鏡頭高解析度行動攝影與錄影，以及人工智慧輔助攝影，為使用者提供了創造、分享其數位內容的全新功能。
- 5G網路使下載和傳輸速度變得超快速，改變了消費者及其裝置與內容互動的方式。
- 位於行動裝置邊緣(edge)並由5G所驅動的人工智慧功能，提供了即時擷取、數據處理以及從中學習的能力。
研究機構 Counterpoint Research 表示，2017到2021年間 NAND flash 平均儲存容量年複合成長率(CAGR)將高達28%，主要是由於成熟平板電腦使用者壓抑已久的換機需求所帶動，特別是隨著娛樂及生產力成為主流使用情境，他們開始將裝置升級為螢幕更大、容量更高的連網機種。
這些數據密集的應用都需要更大容量和更快速度，以滿足消費者對行動裝置隨時隨地都能即時運作(on-the-go)的期望。2018年上半年出貨智慧型手機的嵌入式儲存容量，相較2017年上半年增加了40%，平均每支智慧型手機都有51GB 的儲存容量，從而帶動市場對更高容量和更智慧儲存技術的需求提升。
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