GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD 2TB 評測，PS5016-E16 高速存取更有低溫全銅散熱片！

隨著第三代 Ryzen 桌上型處理器系列上市，AMD 將 PCIe 4.0 帶往消費級主流平台，受惠於介面頻率加倍，傳輸頻寬為 PCIe 3.0 的 2 倍。目前效能成長最有感的應用為 PCIe NVMe SSD，GIGABYTE 同為首波發售的一員，AORUS NVMe Gen4 SSD 循序傳輸突破 Gen3 壁壘。

平行處理存取加速

AMD 在 7 月 7 日正式向消費市場推出自家第三代 Ryzen 桌上型處理器系列，單執行緒效能已可與 Intel Coffee Lake 平起平坐，再透過 TSMC 7nm 製程縮小晶粒面積，再次推升主流市場處理器至十二個實體核心，讓對手毫無招架之力。

另外一點值得注意的是，這次平台連接規格甚至一舉超越 Intel，首次在消費市場導入 PCIe 4.0 規格，介面傳輸率從 8GT/s 倍增為 16GT/s，單通道單向頻寬達 1969MB/s，雖然對 PCIe x16 的顯示卡效能的助益並不大，但能夠以平行寫入、讀取快閃記憶體加速的 PCIe x4 SSD 而言，循序讀寫效能夠再次飆升。

首波上市的 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD 均採用 Phison PS5016-E16 控制器晶片，台灣廠商 GIGABYTE 位於首波發售清單之中，推出 M.2 2280 外觀形式 AORUS NVMe Gen4 SSD，電路板採用 Phison 公版參考設計，並加上自家 AORUS 相關特色。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 使用代表旗艦身分的紙盒設計，紙盒和外層紙套均有施作雷射燙印字樣與 AORUS 鷹頭標誌。（註：正式版均為橫式設計）

▲ 打開紙盒之後，AORUS NVMe Gen4 SSD 固定於內部泡棉緩衝墊當中。

GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD 規格

產品型號：GP-ASM2NE6200TTTD
外觀形式：M.2 M key 2280
介面速度：PCIe 4.0 x4 NVMe
容量：2TB
寫入壽命：3600TBW
電源需求：3.3V/2.0A
其它：1770000hrs MTBF

旗艦級大容量

目前採用 PCIe 4.0 x4 介面規格的 NVMe SSD，其容量主要集中於 1TB、2TB，一方面是目前 PCIe 3.0 x4 NVMe SSD 相當便宜，將 AORUS NVMe Gen4 SSD 價格拉低混戰並沒有意義；另一方面為 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD 亦需要高速快閃記憶體配合，才能夠發揮高速通道效能，低容量款式減少快閃記憶體讀寫通道數量或是降低 CE 堆疊層數，則無法體現 PCIe 4.0 和 PCIe 3.0 速度差距。

AORUS NVMe Gen4 SSD 預計推出 1TB、2TB 容量，均為 M.2 2280 雙面上料版本，若使用者考慮將此 SSD 移往筆記型電腦使用，須注意是否能夠容納這款厚度 3.5mm（本體不含散熱片）的 SSD。此外為了與其它 PS5016-E16 控制器晶片 SSD 作出區隔，GIGABYTE 替這款 SSD 添加純銅散熱片，使得這款產品比其它具備散熱片的款式還要有份量。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 本體採用純銅散熱片包覆，並依據裝設在主機板的方向開有垂直溝槽，欲藉由處理器風扇的風流帶走運作廢熱。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 本體加上散熱片的厚度達 11.4mm，側邊印有「THERMAL DESIGN FOR GEN 4」字樣。

▲ SSD 散熱片背部也是採用金屬銅材質。

▲ 銅質散熱片內部以 Laird 導熱墊負責填充零組件高低不等空隙，並引導廢熱至散熱片。

評測完成之際，GIGABYTE 內部人員來函告知，AORUS NVMe Gen4 SSD 市售版散熱片將有些許變化，材質依然選用金屬銅，但會增加表面處理提升質感。以筆者後來取得的市售版觀察，散熱片表面應噴塗 1 層銅色保護漆，避免純銅長期接觸高濕度空氣而產生的銅銹問題。

▲ 市售版 AORUS NVMe Gen4 SSD 散熱片塗布 1 層銅色漆，避免活性高的銅材質接觸濕氣氧化產生銅鏽。

滿滿高速料件

卸下散熱片之後，即可見到包裹的 M.2 2280 電路板，零件擺放方式與先前評測的 AORUS RGB M.2 NVMe SSD 十分相似，整合式電源管理轉換晶片則改採 PS6106-22。記憶體容量跟隨 1GB 對應 1MB 原則，2TB 容量版本採用 2 顆 SK hynix H5AN8G8NCJR-VKC，速度等級為 DDR4-2666 19-19-19，單顆容量 8Gb。

▲ 卸除散熱片之後，得知 AORUS NVMe Gen4 SSD 採用 Phison 公版參考設計，正面裝設控制器晶片、整合式電源管理轉換晶片、1 顆記憶體、2 個快閃記憶體封裝。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 背面安排另外 1 顆記憶體與 2 個快閃記憶體封裝。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 整合式電源管理轉換晶片採用 PS6106-22，前一世代 PS5012-E12 控制器產品則為 PS6102-22。

▲ 2TB 版本記憶體容量依舊使用 1GB=1MB 對應方式，採用 2 顆 H5AN8G8NCJR-VKC DDR4-2666 記憶體顆粒，容量總計達 2GB。

AORUS NVMe Gen4 SSD 最重要的控制晶片採用 PS5016-E16，對外支援 PCIe 4.0 x4 通道，對內支援 8 通道存取與 32CE，並採用第四代 LDPC 與 RAID ECC 引擎，支援端對端資料保護、Pyrite/OPAL 資料加密規範等功能（AORUS NVMe Gen4 SSD 未開啟加密支援性）。目前已知 PS5016-E16 採用 28nm 製程製造，內含 Arm Cortex 架構雙核心，以及自有開發的 CO-X 處理器雙核心。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 採用目前消費市場唯一支援 PCIe 4.0 的 PS5016-E16 控制器，最外層嵌上銅質金屬片可作為散熱功能使用，亦有避免晶片溫度不均，長期使用翹曲脫焊的疑慮。

2TB 容量版本採用 4 個 TABHG65AWV 快閃記憶體封裝，單個容量 512GB，內部為 Toshiba BiCS4 3D 堆疊 96 層 TLC 形式顆粒，封裝對外界面速度應達 Toggle 3 800MT/s 規格，以便撐起 PCIe 4.0 x4 介面的資料吞吐量。具聞 Phison 內部正在測試與 1200MT/s 介面速度快閃記憶體的相容性，未來可能推出更快的版本。

▲ 2TB 容量版本採用 4 個 TABHG65AWV 快閃記憶體封裝，單個容量 512GB。

再續 PB 級寫入量前緣

前一世代 PS5012-E12 控制器 TLC 紀錄形式 SSD 產品推出之後，JEDEC 標準 TBW 寫入量數據相當令人驚艷，對比 MLC 產品毫不遜色甚至是更佳，AORUS NVMe Gen4 SSD 採用 PS5016-E16 控制器搭配 Toshiba BiSC4 快閃記憶體時，仍舊繼承 TBW 寫入量優勢，1TB 版本享有 1800TBW、2TB 則是翻倍 3600TBW，雙方保固年限同樣是 5 年，保固方式以 TBW 或是年限先到者為主。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 1TB 與 2TB 容量版本規格比較表。

由上圖比較表看來，AORUS NVMe Gen4 SSD 無論是 1TB 或是 2TB 容量版本，雙方均可達到循序讀寫 5000MB/s 和 4400MB/s 速度，4K 隨機讀寫也是相同的 750000IOPS 和 700000IOPS，意即玩家僅需考慮購賣的容量規格，無須擔心儲存空間減少讓存取速度同步下滑。

▲ AORUS NVMe Gen4 SSD 2TB 容量版本於室溫 25℃ 環境，Windows 10 桌面待機溫度為 45℃。

▲ 2TB 版本實際可用容量約為 1907728MB/1863GB 左右。

SSD Tool Box

GIGABYTE 針對這款 SSD 所提供的工具箱軟體，依舊以 AORUS 風格進行外觀設計，軟體功能包含總覽、S.M.A.R.T. 資訊、最佳化、Secure Erase、韌體更新功能，GIGABYTE 方面仍未提供系統資料轉移軟體授權。

▲ SSD Tool Box 仍舊以 AORUS 風格進行外觀設計。

▲ 若是 AORUS NVMe Gen4 SSD 作為資料碟使用，Secure Erase 無須重新開機，可直接於 Windows 作業系統環境進行。

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