台積電公佈2nm先進製程:終結FinFET電晶體,功耗降低30%

台積電公佈2nm先進製程:終結FinFET電晶體,功耗降低30%

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6月17日早間消息,台積電在今日舉辦的2022技術論壇上,首度推出下一代先進製程N2,也就是2nm。技術指標方面,台積電披露,N2相較於N3,在相同功耗下,速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%,開啟高效能新紀元。

就縱向對比來看,2nm之於3nm的提升,似乎不如3nm之於5nm,包括但不限於性能、功耗、密度等所有核心參數。

台積電公佈2nm先進製程:終結FinFET電晶體,功耗降低30%

在微觀結構上,N2採用奈米片電晶體(Nanosheet),取代FinFET(鰭式場效應電晶體),外界普遍認為,奈米片電晶體就是台積電版的GAAFET(環繞柵極電晶體)。

台積電還表示,N2不僅有面向行動處理器的標準工藝,還會有針對高性能運算和小晶片(Chiplet)的整合方案。

台積電公佈2nm先進製程:終結FinFET電晶體,功耗降低30%

時間方面,預計N2將於2025年量產。

另外,根據台積電最新技術路線圖,第一代3nm(N3)定於下半年量產,3nm也會比較長壽,後續還有N3E、N3P和N3X。

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KKJ
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