儲存 的最新熱門文章

新聞
寫入效能可達 500MB/s 與 45K IOPS,Western Digital 3D NAND iNAND 準備驅動你的手機

寫入效能可達 500MB/s 與 45K IOPS,Western Digital 3D NAND iNAND 準備驅動你的手機

行動裝置搭配高容量快閃記憶體已成趨勢,越來越高的相機畫素與螢幕解析度,都需要大容量的儲存空間搭配使用。自從 Apple iPhone 系列推出 128GB/256GB 版本,引導各家旗艦機型跟隨效法,而後 4G 甚至是 5G 時代,多樣化應用需求也帶著儲存空間需求向上飆漲。

新聞
Samsung Z-NAND 是對付 Intel 3D XPoint 的好幫手?首款 SZ985 強調降低存取延遲時間

Samsung Z-NAND 是對付 Intel 3D XPoint 的好幫手?首款 SZ985 強調降低存取延遲時間

Intel 3D XPoint 非揮發式記憶體近來在電腦系統內部的角色逐漸明朗,企業伺服器端推出 Optane SSD DC P4800X,消費市場則為 Optane SSD 900P,未來還有 DIMM 形式的產品陸續登場。而競爭對手 Samsung 此時也拿出了 Z-N...

新聞
一顆硬碟容量40TB!WD 發表突破性 MAMR 微波輔助磁性錄寫技術,儲存密度每平方英寸 4Tb

一顆硬碟容量40TB!WD 發表突破性 MAMR 微波輔助磁性錄寫技術,儲存密度每平方英寸 4Tb

先前市場與整個產業看好 HAMR 為下一代的硬碟磁性錄寫的主要技術,但是 WD 在近日的發表的 MAMR 可能會更早推出。MAMR 利用高頻微波降低碟盤磁性物質寫入時的矯頑力∕保磁力,又不需要加熱碟盤表面降低可靠性,預計 2019 年就有可販售的產品問世。