據媒體報導,在本季度將NAND快閃記憶體晶片報價調漲10%至20%之後,三星計畫明年一季度與二季度再次逐季調漲20%。
三星表示,此舉是為了努力穩定NAND價格、達成明年上半年逆轉市場等目標的一系列行動。
根據近日三星向客戶公佈的四季度官價,移動DRAM合約價環比漲幅在11%-25%左右。
NAND快閃記憶體方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達66%。
三星漲價的底氣主要還是來自於其減產計畫,在10月31日的財報會議上,三星執行副總裁直言,“三星接下來的減產行動,將比目前DRAM縮減產出的規模更大。”
這也意味著,目前三星在積極提高報價的同時,也通過持續減產來控制市場供給量。
作為全球儲存晶片的龍頭企業,三星帶頭漲價也將會使整體市場價格上漲。
此外,隨著主要廠商減產,以及終端廠商需求的復甦,NAND快閃記憶體預計在今年四季度開始價格反彈,並開啟新一輪上漲週期。
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