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佳能負責新型曝光機的高層在接受採訪時表示,採用奈米壓印技術的佳能光刻裝置FPA-1200NZ2C目標今年或明年出貨。去年10月中旬,佳能公司宣佈推出基於奈米壓印的FPA-1200NZ2C,佳能表示,該裝置採用不同於複雜的傳統光刻技術的方案,可以製造5nm晶片。
佳能表示,這套裝置的工作原理和ASML的曝光機不同,並不利用光學圖像投影的原理將積體電路的微觀結構轉移到矽晶圓上,而是更類似於印刷技術,直接通過壓印形成圖案。
奈米壓印技術並不利用光學圖像投影的原理將積體電路的微觀結構轉移到矽晶圓上,而是更類似於印刷技術,直接透過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次,就可以在特定的位置形成複雜的2D或3D電路圖。
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相較於目前已商用化的EUV曝光技術,儘管奈米壓印技術的晶片製造速度要比傳統曝光方式慢,但鎧俠在2021年就曾表示,奈米壓印技術可大幅減少耗能,並降低裝置成本。原因在於奈米壓印技術的製程較為簡單,耗電量可壓低至EUV技術的10%。至於設備的價格,先前佳能CEO御手洗富士夫先前曾表示,該公司的奈米壓印裝置的「價格將比ASML的EUV曝光機少一個零」。而現在估計,至少可以讓並讓裝置投資降低至僅有EUV裝置的40%。
另外,奈米壓印裝置還可以使得晶片製造商降低對於ASML的EUV曝光機的依賴,使得台積電、三星等晶圓代工廠可以有第二個路線選擇,可以更靈活的為客戶生產小批次晶片。
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不過佳能CEO三井藤夫曾在採訪中表示,佳能可能無法將這些裝置出口到中國。「我的理解是,任何超過14nm技術的出口都是被禁止的,所以我認為我們無法銷售給中國。」
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