台積電先進製程路線圖一覽：N3X、N2P、A16 將於 2025/2026 年推出

台積電上週宣佈，該公司將於今年晚些時候開始大批次生產其 N3P 製程，這將是該公司一段時間內最先進的節點。而明年的情況將變得更加有趣，因為台積電將擁有兩種製程技術，當它們在 2025 年下半年進入大批次生產（HVM）時，實際上可能會產生內部的相互競爭。

*台積電公佈的晶片密度反映了由 50% 邏輯、30% SRAM 和 20% 模擬組成的"混合"晶片密度。

**面積相同。

***速度相同。

生產節點包括 N3X（3 奈米級，注重極高性能）和 N2（2 奈米級）。台積電表示，與 N3P 相比，N3X 晶片通過將 Vdd 從 1.0V 降至 0.9V，可在相同頻率下將功耗降低 7%，在相同面積下將性能提高 5%，或在相同頻率下將電晶體密度提高約 10%。同時，與前代產品相比，N3X 的主要優勢在於其 1.2V 的最高電壓，這對於桌面或資料中心 GPU 等超高性能應用非常重要。

台積電的 N2 將是台積電首個使用全柵極（GAA）奈米片電晶體的生產節點，這將顯著提高其性能、功耗和面積（PPA）特性。與 N3E 相比，在 N3 上生產的半導體可將功耗降低 25% - 30%（在電晶體數量和頻率相同的情況下），將性能提高 10% - 15%（在電晶體數量和功耗相同的情況下），並將電晶體密度提高 15%（在速度和功耗相同的情況下）。

就功耗和電晶體密度而言，N2 肯定是台積電無可爭議的冠軍，但就性能而言，特別是在高電壓下，N3X 有可能向其發起挑戰。對於許多客戶來說，N3X 還將因使用成熟的 FinFET 電晶體而受益，因此在 2025 年下半年，N2 不會自動成為台積電最好的節點。

2026: N2P 和 A16

下一年，台積電將再次推出兩個節點，分別針對大致相同的智慧型手機和高性能計算應用：N2P（性能增強型 2 奈米級）和 A16（具有背面功率傳輸功能的 1.6 奈米級）。

與最初的 N2 相比，N2P 的功耗有望降低 5%-10%（速度和電晶體數量相同），性能提升 5%-10%（功耗和電晶體數量相同）。同時，與 N2P 相比，A16 的功耗最多可降低 20%（速度和電晶體數相同），性能最多可提高 10%（功耗和電晶體數相同），電晶體密度最多可提高 10%。

考慮到 A16 具有增強的背面功率傳輸網路，它很可能成為注重性能的晶片設計人員的首選節點。當然，由於背面功率傳輸需要額外的工藝步驟，因此使用 A16 的成本會更高。

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