蘋果要從根本上改變iPhone記憶體設計以提高AI性能，最快iPhone 18就可以上陣

據韓國The Elec最新報導，蘋果記憶體元件的主要供應商三星已開始研究如何適應蘋果的要求。這一轉變將標誌著當前的封裝堆疊 (PoP) 方法的轉變，在這種方法中，低功耗雙倍資料速率 (LPDDR) DRAM 直接堆疊在片上系統 (SoC) 上。從 2026 年開始，DRAM 將與 SoC 分開封裝，這將顯著提高記憶體頻寬並增強 ‌iPhone‌ 的 AI 功能。

當前的 PoP 堆疊架構於 2010 年首次在 ‌iPhone‌ 4 中推出，此後因其緊湊的設計而受到青睞。將記憶體直接堆疊在 SoC 頂部可最大限度地減少物理佔用空間，這對於空間非常寶貴的行動裝置尤其重要。然而，PoP 封裝施加的限制限制了它對需要更快資料傳輸速率和更多記憶體頻寬的 AI 應用的適用性。

對於 PoP，記憶體封裝的尺寸受 SoC 尺寸的限制，限制了 I/O 引腳的數量，從而限制了性能。轉向分立封裝將允許記憶體與 SoC 物理分離，從而可以新增更多 I/O 引腳。這種設計變化應該會增加資料傳輸速率和平行資料通道的數量。將記憶體與 SoC 分離還可以提供更好的散熱效果。

蘋果之前在 Mac 和 iPad 產品線中都使用過分立記憶體封裝，但後來隨著 M1 晶片的推出，轉向了封裝記憶體 (MOP)。MOP 縮短了記憶體和 SoC 之間的距離，從而降低了延遲並提高了電源效率。對於 ‌iPhone‌，採用分立封裝可能需要進行其他設計更改，例如縮小 SoC 或電池以騰出更多空間用於記憶體元件。它還可能消耗更多電量並增加延遲。

此外，據報導，三星正在為蘋果開發下一代 LPDDR6 記憶體技術，預計該技術的資料傳輸速度和頻寬將是當前 LPDDR5X 的兩到三倍。正在開發的一種變體 LPDDR6-PIM（記憶體處理器）將處理能力直接內建到記憶體中。據說三星正在與 SK Hynix 合作，以標準化這項技術。

這些變化可能會從 2026 年的iPhone 18開始出現，前提是蘋果能夠克服與 SoC 小型化和內部佈局最佳化相關的工程挑戰。