三星加速 HBM4 開發，計畫 2025 年底量產

上個月有報導指出，三星選擇在其平澤 P4 工廠建置 1cnm 製程的 DRAM 生產線，已開始向 Lam Research 等合作夥伴訂購設備，為 HBM4 的量產鋪平道路。1cnm 屬於第六代 10 奈米等級製程，電路線寬約為 11-12 奈米，預計今年進入商業化生產，三星打算用於生產 HBM4 的 DRAM 晶片。

根據 Notebookcheck 的報導，三星已完成了 HBM4 的邏輯晶片開發工作，並啟動了 4 奈米試產工作（用於 HBM4 的基礎裸晶），標誌著朝向 2025 年下半年量產邁出了一大步。過去一段時間，三星明顯加快了 HBM4 的開發腳步，比原訂計畫提前了大約半年，以便爭取 NVIDIA 這類關鍵客戶的訂單，預計將用於下一代 Rubin 架構 GPU，預計 2026 年上市。除了 NVIDIA 之外，三星也將目光投向了微軟和 Meta 的新一代客製化晶片。

先前三星在 ISSCC 2024 上分享了一些技術細節，顯示 HBM4 將提供巨大的效能提升，資料傳輸速率高達 2TB/s，比 HBM3E 快了約 66%。同時還將支援 6.4GT/s 的介面運行速度，介面位寬為 2048 位元，最大提供 48GB 容量也比目前這一代產品提升了約 33%。三星還與台積電達成協議，共同開發 HBM4，這也是雙方首次在人工智慧（AI）晶片領域展開合作。

除了 HBM4 客製化工作外，三星也將重點轉向整合 AI 運算能力和特定資料處理功能，以滿足不斷變化的需求。傳聞三星可能選擇轉向 PIM 技術，使記憶體晶片本身可以執行 CPU、GPU、ASIC 或 FPGA 的操作。這種做法可以將處理操作轉移到 HBM 本身，進而減輕了記憶體與一般處理器之間傳輸資料的負擔。

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