Samsung 第三代 HBM2E 記憶體 Flashbolt 現身，速度推升至 3.2Gbps、容量達 16GB

高性能記憶體走向 2 個極端，其一為注重時脈速度的 GDDR，另外一種則是注重匯流排寬度的 HBM。Samsung Electronics 近日發表 Flashbolt 記憶體，為自家第三代 HBM2E，單針腳傳輸速度衝上 3.2Gbps，單顆堆疊 8 個 16Gb 顆粒，總容量來到 16GB。

JEDEC 在上個月更新 HBM2 技術規格，JESD235C 將單針腳速度提升至 3.2Gbps，其餘重大規格相對 JESD235B 沒有太多變動，最大單一晶粒容量維持 2GB、每個堆疊最多可以容納 12 個晶粒、單一堆疊對外匯流排界面寬度為 1024bit、電壓 1.2V 等。

隨著 JEDEC JESD235C 規格更新，Samsung Electronics 於近日發表 Flashbolt 記憶體，為自家第三代 HBM2E 記憶體，單針腳傳輸速度已達規範最高速度 3.2Gbps，單一堆疊採用 8 個 16Gb 晶粒，如此單一堆疊即可提供 16GB 容量，相當驚人！（HBM2E 與 HBM2 3.2Gbps 是一樣的東西，只是 Samsung 和 JEDEC 的稱呼不同。）

▲ Samsung Electronics 近日發表旗下第三代 HBM2E 記憶體，單針腳傳輸速度達 3.2Gbps，並透過堆疊 8 個 16Gb 晶粒，讓單一堆疊擁有 16GB 容量。

Flashbolt 與前一世代 Aquabolt 除了傳輸速度上的不同（Flashbolt：3.2Gbps、Aquabolt：2.4Gbps），單一堆疊容量也倍增（Flashbolt：16GB、Aquabolt：8GB），除了能夠讓高性能運算晶片獲取更大的存取頻寬，也可以執行更為複雜的任務。

Flashbolt HBM2E 記憶體採用 1y 製程製造，每個晶粒含有 5600 個以上的 TSV（Through Silicon Via、矽穿孔），用以相互連接傳輸訊號，8 個晶粒堆疊擁有超過 4 萬個 TSV。此外這次 Samsung Electronics 僅宣布 8-Hi 堆疊版本，JEDEC 標準最高可達 12-Hi，因此不排除未來也會有單一堆疊容量達 24GB 版本問世。另一方面，Samsung Electronics Flashbolt HBME2 除了支援 JEDEC 標準速度 3.2Gbps，該公司新聞稿還提到支援 4.2Gbps，讓單一堆疊對外頻寬從 410GB/s 躍升至 538GB/s，提升 31.22％左右。

▲ Samsung Electronics Flashbolt HBM2E 採用自家 1y 製程製造，除了能夠支援 JEDEC 標準 3.2Gbps，甚至還能夠超頻至 4.2Gbps。

Samsung Electronics 表示 Flashbolt HBM2E 將於 2020 上半年開始進入量產階段，這個時間點相當微妙，為 AMD RDNA2 和 NVIDIA Ampere 架構產品推出前夕，高性能運算卡版本採用的可能性相當高，但是顯示卡記憶體超過一定容量之後，對於遊戲沒有太大幫助，因此零售市場不太可能見到採用 HBM2E 記憶體的產品。

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