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新聞 Samsung 第三代 HBM2E 記憶體 Flashbolt 現身,速度推升至 3.2Gbps、容量達 16GB R.F. 發表於 2020年2月05日 13:00 Plurk 高性能記憶體走向 2 個極端,其一為注重時脈速度的 GDDR,另外一種則是注重匯流排寬度的 HBM。Samsung Electronics 近日發表 Flashbolt 記憶體,為自家第三代 HBM2E,單針腳傳輸速度衝上 3.2Gbps,單顆堆疊 8 個 16Gb 顆粒,...