三星電子宣佈公司新一代 3 奈米晶片製造技術將延後到 2022 年上市,同時表示,更先進的 2 奈米晶片製造技術將在 2025 年問世。
三星曾計畫於今年開始啟用 3 奈米製程,可以生產處理速度更快、能效更高的晶片產品。不過,週三他們在「三星代工論壇」(Samsung Foundry Forum)上表示,轉向全新製造技術的難度很大,3 奈米製程晶片將在 2022 年上半年上市。
這意味著三星的客戶將要到明年才能用上這一技術。三星晶片代工的客戶包括手機晶片設計公司高通、伺服器製造商 IBM 和三星自家產品。
不過,好消息是三星宣佈將在 2025 年下半年實現 2 奈米晶片製造技術。三星表示,這將使晶片在性能、能效以及電子產品小型化向前繼續邁進。
三星電子副會長李在鎔8月假釋出獄後,當時宣布未來3年投入240兆韓圜(約2050億美元) 鞏固科技產業的優勢地位,並表示該公司下一代製程節點3奈米製程採用環繞閘極技術(Gate-All-AroundGAA)可以超越台積電。
台積電、三星3 奈米晶片計畫都延遲
台積電今年 8 月份也宣佈延遲上線 3 奈米晶片製造技術。這一計畫的延遲使得英特爾壓力有所緩解。目前英特爾正在推出自家代工業務,旨在奪回被台積電和三星拿走的市場市佔率。
晶片業務面臨的壓力極大。隨著個人電腦銷量的不斷增長、智慧手機的普及以及資料中心的服務量不斷上升,市場對晶片的需求已經超過產能。全球晶片短缺影響到依賴電子產品供應鏈的個人電腦、遊戲機、汽車等產品銷售。
三星代工事業部高級副總裁 Shawn Han 說,晶片短缺問題要到 2022 年才會緩解。他表示,「儘管我們正在投資,其他代工廠商也在增加產能,但在我們看來,這一狀況會再持續六到九個月。」
轉向新一代晶片製造技術的過程非常複雜。單個晶片由數十億個比塵埃還要小的晶體管組成。晶片製造工廠需要在矽晶片上蝕刻電路圖案,這一過程需要數十個步驟,耗時數月時間。
晶片製造技術的進步源自晶體管不斷小型化,這樣就可以把更多晶體管壓縮在晶片上,從而提高處理速度並降低功耗。三星新一代晶片製造技術 3GAE 採用的是一種名為「環繞閘極技術」(GAA) 的技術。
三星預計到 2023 年推出更成熟的 3GAP 晶片產品,同時達到高產量。到 2025 年,三星計畫轉向更先進的 2 奈米晶片製造技術 2GAP。
隨著晶片變得越來越複雜,通常也會越來越貴,這就是為什麼許多客戶堅持使用更老更便宜製程的晶片。
但三星認為它們可以降低全新製造技術的成本。三星電子代工戰略團隊負責人 Moonsoo Kang 表示:「雖然 GAA 是一項困難的技術,但我們仍將努力降低單個晶體管的成本。」「這一趨勢將繼續下去。」
不過,就算GAA技術真的開始上線,問題就跟先前IBM宣稱推出全球首款2奈米GAA技術一樣,雖然技術可行,但開始大規模量產就有良率問題。像是去年採用三星5奈米製程的高通Snapdragon 888就有過熱問題,也輸給台積電5奈米製程的蘋果A14、M1晶片效能表現。
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