英特爾20A和18A代工節點完成開發階段，有望於2024年投產

英特爾公司自營半導體工廠 - 英特爾代工服務宣佈，其2奈米級的英特爾20A和1.8奈米級的英特爾18A代工節點已經完成開發，並有望在其路線圖日期量產晶片。預計英特爾20A節點的晶片將於2024年上半年開始量產，而英特爾18A節點的晶片預計將於2024年下半年開始量產。

開發階段的完成意味著英特爾已經敲定了節點的規格和性能/功率目標，以及製造晶片所需的工具和軟體，現在可以開始訂購物料以建構節點。

直到2022年，英特爾一直在對這些節點進行測試，隨著規格的最終確定，晶片設計者可以相應地結束其產品的開發，以配合這些節點所能提供的服務。

英特爾20A（或20-angstrom，或2奈米）節點引入了帶有PowerVIAs（一種有助於提高電晶體密度的互連創新）的全門（GAA）RibbonFET電晶體。英特爾20A節點據稱比其前身英特爾3節點（FinFET EUV，3奈米級）具有15%的性能/瓦特提升，其本身比英特爾4節點具有18%的性能/瓦特提升（比目前的英特爾7節點具有20%的性能/瓦特提升），該節點即將進入大規模生產。

英特爾18A節點是對英特爾20A的進一步完善，對RibbonFET進行了設計改進，在規模上提高了電晶體密度，據稱比英特爾20A有10%的性能/瓦特提升。