Intel 20A殺手鐧PowerVia技術首秀，反超台積電就靠它

Intel一直在積極推進4年內推出5代先進製程的戰略，2021-2024年間將陸續投產7、4、3、20A、18A。

Intel 20A（或20-angstrom，或2奈米）節點引入了帶有PowerVIAs（一種有助於提高電晶體密度的互連創新）的全門（GAA）RibbonFET電晶體。Intel 20A據稱比其前身Intel 3（FinFET EUV，3奈米級）具有15%的性能/瓦特提升，其本身比Intel 4具有18%的性能/瓦特提升（比目前的Intel 7具有20%的性能/瓦特提升），該節點即將進入大規模生產。

英特爾18A節點是對英特爾20A的進一步完善，對RibbonFET進行了設計改進，在規模上提高了電晶體密度，據稱比英特爾20A有10%的性能/瓦特提升。

PowerVia技術首秀

Intel 20A製程將引入兩種全新的技術，PowerVia背部供電、RibbonFET全環繞柵極電晶體。

PwoerVia技術將傳統位於晶片正面的供電層改到背面，與訊號傳輸層分離，通過一系列TSV矽穿孔為晶片供電，可以大大降低供電噪聲、電阻損耗，最佳化供電分佈，提高整體能效。

計畫6月11-16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，Intel將首次展示PowerVia技術，不過用的不是20A，而是基於Intel 4的一顆測試晶片，架構則是E核。

這顆核心的面積僅為2.9平方mm，得益於PowerVia技術，大部分區域的標準單元利用率都超過了90％(圖中橙色區域)，其餘的也基本都在80％之上(圖中綠色區域)。

同時，PowerVia技術還帶來了超過5％的頻率提升，吞吐時間略高但可以接受，功耗發熱情況符合預期。

除了用於自家產品，Intel也將使用PowerVia技術為客戶代工，這也是提前展示其能力的一個原因。