最早買到High-NA EUV曝光機的英特爾，卻表示不會把這技術用在今年的 Intel 18A 節點上

近日英特爾 CEO 基辛格（Pat Gelsinger）在季度電話財報會議上回應了分析師有關外部代工與 High-NA EUV 應用的提問。

他表示雖然未來外部代工量會減少，但其仍是英特爾路線圖中不可或缺的一部分；同時基辛格再次確認不會在 Intel 18A 節點使用 High-NA EUV 技術，而是留到下一個“Major”節點。

在去年12月，荷蘭半導體裝置製造巨頭ASML確認，已經向英特爾交付首台高數值孔徑（NA）的極紫外（EUV）曝光系統。數值孔徑是用來衡量光學系統能夠收集的光的角度範圍，通過增大數值孔徑，可以實現更小的解析度和更高的分辨能力，從而滿足微細加工的要求。

據介紹，每台新機器的造價成本超過3億美元，可以滿足一線晶片製造商的需求，未來十年內能夠製造更小、更好的晶片。

不過，基辛格認為隨著內部晶圓廠「4 年 5 節點」戰略的穩步推進，內部技術的競爭力隨之提升，英特爾將會有更多產品採用自有晶圓廠製造，但委外代工一直將是英特爾戰略的組成部分。英特爾保持使用委外代工的可能，這樣研發團隊就始終可以使用領先的技術打造產品。

基辛格表示英特爾不會將 High-NA EUV 這一風險因素引入 18A 節點。這位 CEO 稱，在重新將英特爾的內部技術推至世界領先的過程中，風險管控是重要一環，因此他們延後了下一代曝光技術的應用。

去年底基辛格表示，稱18A先進節點可能於2014年初投入試生產。當時他表示「對於18A，我們目前有很多測試晶圓。」「18A的開發階段現在已經完成，現在我們正在競相投入生產。」

在最近一個季度，英特爾代工業務的營收同比增長近300%，達到3.11億美元，但仍遠低於台積電同期172.8億美元的營收。

三星和台積電也在進一步推進先進節點，以便最快在2025年將2奈米晶片投入生產。

英特爾將在 2 月 21 日的首次 IFS Direct Connect 活動上透露更多有關 High-NA EUV 的資訊。