三星將在 2025 年量產 2 奈米 GAA 晶圓對決台積電，同時3 奈米良率也大幅提高

三星將在「VLSI Symposium 2024」（2024 年超大規模積體電路研討會）上發表一篇論文，介紹在 2 奈米（SF2）製程中應用的第三代 GAA 特性。據報導，三星的 2nm 晶片將採用這種全柵極技術，因為該公司的代工部門計畫在 2025 年開始大規模生產 2nm 晶片。

三星尚未在其 3nm GAA 節點上獲利，這主要歸功於其產量低，導致與其他公司的合作不可行。

根據最新報導，三星的目標是推出該技術的三個下一代版本，類似於台積電在自己的3nm 節點上所做的那樣，從蘋果公司專用的「N3B」開始。三星實現了柵極全方位技術的商業化，該技術具有多項優勢。例如，它可以調節、放大和控制半導體內的電流。

隨著晶片體積越來越小，控制電流變得越來越困難，但 GAA 通過重新設計電晶體結構來提高能效，從而解決了這一問題。儘管有這些優勢，但三星在爭取各種客戶供應晶圓方面基本上都不成功，因為它不斷遇到產量問題。再加上高昂的生產成本，該公司的潛在客戶並不看好這種合作關係。

先前曾報導三星的 3 奈米 GAA 良率僅為 20%，但這家代工巨頭已經成功扭轉了局面，使這一數字達到了原來的三倍。不過，在整體良率方面，三星仍落後於台積電，因此高通（Qualcomm）和聯發科（MediaTek）只台積電的技術表現出信心也就不足為奇了。三星在其 GAA 工藝中開發了一種名為「MBCFET」的專有技術，每一次 3 奈米迭代都會帶來性能和效率的提升。

三星已計畫推出其 3 奈米 GAA 技術的第三世代，據說該技術可將功率損耗降低 50%以上，並因面積縮小而實現更高的內建度。也許通過未來的研究，三星可以提高產量，使其達到足夠高的數字，從而使客戶開始對 3 奈米 GAA 和 2 奈米 GAA 版本產生興趣。