中國晶片技術落後西方達五代,專家警告中國晶片技術雖滯後但進步快速

中國晶片技術落後西方達五代,專家警告中國晶片技術雖滯後但進步快速

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根據美國智庫「資訊科技與創新基金會」(ITIF)的一份報告,中國在晶片設計和製造能力方面明顯落後於美國及其盟友。

報告作者史蒂芬·艾澤爾(Stephen Ezell)解釋說:「在邏輯晶片設計方面,中國企業落後全球領先者約兩年,而在記憶體晶片方面,則落後數年。」報告指出,中國在半導體製造設備方面──例如製作晶片的曝光工具──也顯著落後。一位不具名的評論員認為,中國在這一領域可能落後五代。

艾澤爾警告說,這並不意味著美國及其盟友可以「高枕無憂」,否則「他們將面臨其產業大幅萎縮的風險。」

報告指出,中國在智慧財產權和創新方面取得了顯著進展,在專利申請量上已經超過了美國和日本。中國在《專利合作條約》(PCT)下提交了大部分與晶片相關的國際專利申請,並且該國的半導體產業在 2020 年獲得了超過 3,400 項批准專利,比十年前的122項大幅增加。當然,應該指出的是,其中許多專利並不代表重大創新。

美國在全球半導體製造業中的占有率從 1990 年的 37% 下降到 2021 年的 12%,而中國的占有率則從幾乎為零增長到與美國旗鼓相當。然而,中國的增長主要是在傳統半導體(大於 28 奈米)的生產方面,這些半導體通常用於汽車、醫療設備、家用電器、能源、基礎設施和航太產品。

報告指出,中國企業似乎更注重價格競爭而非創新,這對於一個產業研發排名在同行中相當低的國家來說是合理的。半導體產業協會計算得出,2022 年中國的研發得分是美國的 40%,也明顯低於歐洲、台灣、韓國和日本。

然而,根據 艾澤爾的說法,創新者常常會敗給更便宜的競爭者。這種情況在消費電子、太陽能面板和電信設備等行業中曾經發生過。

中國的最終目標是在產業的所有方面實現半導體自給自足。2015 年,中國設定了到 2025 年實現 70% 半導體自給自足的目標——ITIF 估計,到那一年中國將達到 30% 的自給率,並且需要額外 1 兆美元的投資才能完全實現目標。

ITIF認為,中國自2010年代中期以來就一直致力於發展半導體行業,而不僅僅是川普和拜登政府實施出口控制之前,因此美國的出口控制並未促使中國啟動「國產半導體行業」的快速發展。

該智庫警告說,在「如此極其複雜的技術生態系統中」,「單打獨鬥」的戰略對中國來說將非常困難。

艾澤爾建議美國與盟國合作,更新世界貿易組織規則,並對工業補貼實施更嚴格的條件。

報告還建議華盛頓有針對性地實施出口管制,以便法規在「將先進的美國技術排除在外國競爭對手的國家安全機構之外」與「出口管制會減少美國公司銷售額的現實」之間取得平衡。

ITIF 報告承認,評估中國晶片產業的創新能力尤其困難。部分原因是,在習近平的領導下,中國減少了對世界的資訊披露,尤其是在工業和技術能力方面。

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作者

一個老派的科技媒體工作者,對於最新科技動態、最新科技訊息的觀察報告。

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