AI半導體技術創新，台積電、NVIDIA、SK海力士共同開發下一代HBM4高頻寬記憶體

在人工智能快速發展的時代，半導體行業的領導者們正積極尋求合作，以推動技術創新並鞏固市場地位。近日，業界傳出令人振奮的消息:半導體製造巨頭台積電、圖形處理器龍頭NVIDIA以及韓國記憶體製造商SK海力士將展開深度合作，共同開發下一代高頻寬記憶體(HBM)技術。

在9月4日開始舉辦的Semicon Taiwan，預計即將公布這個消息，到時SK海力士社長金柱善將發表專題演講，揭開這一重磅合作的序幕。

HBM技術:AI時代的關鍵零組件

高頻寬記憶體(HBM)作為一種高性能的3D堆疊記憶體技術，對於AI和高性能計算處理器的記憶體性能至關重要。隨著人工智能應用的不斷擴展，對計算能力和記憶體帶寬的需求也在急劇增加。HBM技術的進步將直接影響AI伺服器的性能提升，因此成為三大巨頭合作的重點領域。

此次合作的核心目標是在2026年實現HBM4的量產。根據計劃，HBM4將採用台積電的12FFC+及5奈米工藝製造介面晶片，以實現更微小的互連間距。這一技術突破將顯著提升記憶體的性能和能效，為AI應用提供更強大的硬體支持。

SK海力士作為NVIDIA AI GPU HBM記憶體的獨家供應商，預計在2026年NVIDIA推出的Rubin系列GPU中首次採用HBM4技術。這不僅標誌著HBM技術的重大進步，也將為NVIDIA的AI處理器帶來顯著的性能提升。

為了實現HBM4技術的突破，三方將在多個層面展開深入合作:

此外，台積電還將加強其CoWoS-L和CoWoS-R等先進封裝技術的產能，以支援HBM4的大規模量產。這種全方位的技術整合將為AI計算平台帶來革命性的突破。

這一合作將進一步鞏固三方在AI半導體產業中的領導地位，並擴大與競爭對手的差距。通過結合各自的優勢：台積電的先進製程技術、NVIDIA的GPU設計實力以及SK海力士的記憶體製造專長，三家公司將共同推動AI硬體技術的快速發展。

SK海力士高層透露，公司正在探索將記憶體和邏輯半導體整合到單一封裝中的可能性。這一創新思路有望引發效能和效率的巨大飛躍，模糊記憶體和邏輯半導體之間的界限，甚至可能在未來實現無需傳統封裝技術即可達到更高效率性能的突破。

台積電、NVIDIA和SK海力士的戰略合作無疑將為AI半導體技術的發展注入強大動力。隨著HBM4技術的推進和各方優勢的深度整合，我們有理由期待在2026年見證一場AI計算性能的革命。這不僅將推動AI技術的進步，也將為各行各業的智能化轉型提供強大的硬體支持，開啟AI應用的新時代。