High NA EUV 曝光機組裝流程大幅改進，英特爾確認 ASML 第二台 High NA EUV 曝光機完成安裝

ASML 新任 CEO Christophe Fouquet 出席 SPIE 大會並行表演講，重點介紹了 High NA EUV 曝光機。

他提到，High NA EUV 曝光機不太可能像最初的 EUV 曝光機那樣出現延遲。還談到了組裝掃描器子元件的新方法，即直接在客戶工廠安裝，無需經歷拆卸及再組裝的過程。這將大大節省 ASML 與客戶之間的時間和成本，有助於加快 High NA EUV 曝光機的發的和交付。

緊隨其後上台的是英特爾院士兼曝光總監 Mark Phillips，他表示英特爾已經在波特蘭工廠完成了兩台 High NA 系統的安裝，而且他還公佈了一些資料，表明 High NA EUV 相對於標準 EUV 曝光機所帶來的改進可能要比之前想像中還要多。

他表示，由於已經有了經驗，第二套 High NA EUV系統的安裝速度比第一個還要更快。據稱，High NA 所需的所有基礎設施已經到位並開始運行。用於 High NA 的光罩檢測工作已經按計畫開始進行。因此，英特爾無需做太多輔助支援工作即可將其投入生產。

Mark 還被問到了關於 CAR（化學放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問題，他表示 CAR 目前還夠用，但可能在未來某個時候需要金屬氧化物光阻劑。英特爾目標插入點是 Intel 14A 工藝（預計 2026~2027 年量產），這可能比預期的要更快。