Intel的High-k

Intel找到了一種更好的材料當閘極，並且解決閘極愈做愈薄時所產生的問題。 製程縮小就會發生漏電流，絕緣能力不好是其中一個原因，所以絕緣的材質上，大家都會找尋最佳的材質！而Intel的High-k就是用在45nm處理器的最新技術（k質愈高代表絕緣能力越好）。在這簡報當中，HK就是指High-k，MG則是金屬閘極，S為源極、D汲極。S、D、G（右側的電晶體中，有藍、深藍、黃的東西便為G閘極）就成為了電晶體（MOSFET）的三個端點。而S源極與D汲極之間，需要形成一個通道才會讓電流流過，而這個通道，就得要靠G 閘極加電壓後才能夠形成。註：MOSFET是金屬氧化物半導體場效應電晶體的簡稱。

簡報中的左側圖形，為目前的標準製程方法（使用SiO2），許多廠商大多是使用SiO2作為絕緣層，其位置就在圖中一條白色地方，而漏電流的問題就是來自於SiO2，因為當電晶體的尺寸愈小時SiO2就會愈薄，愈薄之後加了電壓就會使得SiO2沒辦法承受，因此就發生了漏電流的情況。

重點來了，而右邊就是Intel的High-k技術，它最大的特色，就是「不必和SiO2做到一樣薄，但卻可以和SiO2一樣的特性，並且High-k的效果比SiO2還要好」，那麼，聰明的讀者一定會想到，那把High-k做厚一點不就行了嗎？其實，太厚就會使得電流變小，無法符合電晶體的需要，而太薄則會不容易沉積為一片均勻的薄膜，如果不均的話，比較薄的地方就會因為電場太大而提前被打穿。

而S源極為「負」，D汲極則是「正」，這兩個的作用簡單來說就是電流流入的端點，以及電流流出的端點，因此G閘極就像是一個開關，讓S、D兩極「通電」或是「不通電」，從數位電路來說，這就是「1」與「0」的差別。因此，G閘極得精確做到適當的厚、薄。而這就是電晶體的電流流程，以及Intel High-k「簡單介紹」。