摩爾定律還沒走到底！ASML 1 奈米製程光刻機完成設計即將商業化

本月中旬，在日本東京的ITF論壇上，與ASML合作研發光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公佈了3nm及以下製程的在微縮層面技術細節。至少就目前而言，ASML對於3nm、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規劃，且1nm時代的光刻機體積將增大不少。

IMEC公司執行長兼總裁Luc Van den hove在主題演講中介紹了公司研究概況，強調透過與ASML的緊密合作，雙方正在將下一代高解析度EUV光刻技術——高NA EUV光刻技術商業化。IMEC公司強調，將繼續把製程規模縮小到1nm及以下。

在到了3nm以下的趨勢，包括日本在內的許多半導體公司相繼退出，聲稱摩爾定律已經走到了盡頭，或者說成本太高，無利可圖。

在日本眾多光刻工具廠商紛紛退出EUV光刻開發階段的同時，半導體研究機構IMEC和ASML一直在合作開發EUV光刻技術，而EUV光刻技術對於超細鱗片來說至關重要。

據稱在當前台積電、三星的7nm、5nm製造中已經引入了NA=0.33的EUV曝光設備。但是，2nm之後則需要更高解析度的曝光設備，也就是NA=0.55。兒在ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計（即NXE：5000系列），預計在2022年實現商業化。

不過，這套下一世代的曝光設備，因為光學系統變得更加龐大，使得整套設備的體積將變得非常巨大。

ASML目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D計畫明年年中出貨，生產效率將提升18%。